[发明专利]基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线、相关纳米级二氧化硅及制作方法

权利要求书

1.一种基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线，其特征在于，包括石英光纤、玻化纳米级二氧化硅层和插芯，所述玻化纳米级二氧化硅层包覆在所述石英光纤外，所述插芯包覆在所述玻化纳米级二氧化硅层外，所述玻化纳米级二氧化硅层是纳米级二氧化硅经玻化而成。

2.根据权利要求1所述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线，其特征在于，所述纳米级二氧化硅是纳米级低熔点二氧化硅，所述纳米级低熔点二氧化硅的熔点低于1500℃。

3.根据权利要求2所述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线，其特征在于，所述纳米级低熔点二氧化硅是掺杂金的二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线，其特征在于，所述的掺杂金的二氧化硅中二氧化硅和金的质量比为90：10。

5.根据权利要求1所述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线，其特征在于，所述插芯是陶瓷插芯、金属插芯或石英插芯。

6.一种用于根据权利要求1所述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线的纳米级二氧化硅，其特征在于，所述纳米级二氧化硅是纳米级低熔点二氧化硅，所述纳米级低熔点二氧化硅的熔点低于1500℃。

7.根据权利要求6所述的纳米级二氧化硅，其特征在于，所述纳米级低熔点二氧化硅是掺杂金的二氧化硅。

8.根据权利要求6所述的纳米级二氧化硅，其特征在于，所述的掺杂金的二氧化硅中二氧化硅和金的质量比为90：10。

9.一种根据权利要求1所述的基于无胶玻化技术的单模光纤连接器线的制作方法，其特征在于，将所述石英光纤插设在所述插芯中，然后在所述石英光纤和所述插芯之间填充纳米级二氧化硅，再将纳米级二氧化硅玻化形成所述玻化纳米级二氧化硅层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述玻化采用加热方式实现。