[发明专利]阱注入方法、绝缘体上硅器件制造方法和绝缘体上硅器件在审
| 申请号： | 201210261798.6 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102737968A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 方法 绝缘体 器件 制造 | ||
1.一种对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，所述绝缘体上硅结构包括作为有源层的硅顶层、作为绝缘层的掩埋氧化物层、作为支撑层的硅基底层，其特征在于所述对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法包括：在进行阱区注入时，对于硅片上形成多个栅极多晶硅的结构，将形成数量与多个栅极多晶硅的数量相同的多个注入区；其中，所述多个注入区不会覆盖整个硅顶层中的有源区，并且，所述多个注入区中的每一个将分别覆盖所述多个栅极多晶硅之一。
2.根据权利要求1所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，在进行阱区注入时，在所述有源区的更深的深度注入更大的掺杂浓度，而在所述有源区的更浅的深度注入更小的掺杂浓度，由此形成倒掺杂阱结构。
3.根据权利要求1或2所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，所述硅顶层用于形成半导体电路元件；所述硅基底层用于为所述硅顶层和所述掩埋氧化物层提供机械支撑；并且，所述掩埋氧化物层隔断了所述硅顶层和所述硅基底层之间的电气连接。
4.根据权利要求1或2所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，作为有源层的硅顶层的厚度介于50-3000A之间。
5.根据权利要求1或2所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，在进行阱区注入时，注入的元素达到所述有源层的底部。
6.根据权利要求1或2所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，在栅极多晶硅所形成的MOS晶体管的沟道方向上，所形成的相应的注入区的尺寸介于所述栅极多晶硅的尺寸的1.5倍至4倍之间。
7.根据权利要求6所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，栅极多晶硅位于相应注入区的中间。
8.根据权利要求1或2所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法，其特征在于，在与栅极多晶硅所形成的MOS晶体管的沟道方向垂直的方向上，所形成的相应的注入区的尺寸与所述栅极多晶硅的尺寸相同。
9.一种采用了根据权利要求1至8之一所述的对绝缘体上硅结构执行阱注入的方法的绝缘体上硅器件制造方法。
10.一种根据权利要求9所述的所述绝缘体上硅器件制造方法制成的绝缘体上硅器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
