[发明专利]芯片堆迭结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片堆迭结构，包含：

一信号处理芯片模组，包含：

一玻璃基板，具有一第一表面、以及与该第一表面相对的一第二表面，该第一表面上更形成一凹穴，其中，该玻璃基板的第一表面与该凹穴内分别形成有贯穿孔，并于该贯穿孔内镀有金属材料以电性连接该第一表面及该第二表面；及

一信号处理芯片，设置于该凹穴中与该多个贯穿孔电性连接；及

一光学芯片模组，包含一光学芯片，该光学芯片模组于该第一表面上与该信号处理芯片模组迭置，该光学芯片的面积大于该信号处理芯片的面积，以涵盖该信号处理芯片；

其中，该信号处理芯片及该光学芯片更分别包含多个导电接点相应地连接这些贯穿孔，以于该第二表面上电性连接。

2.如权利要求1所述的芯片堆迭结构，其特征在于，这些导电接点为多个凸块。

3.如权利要求1所述的芯片堆迭结构，其特征在于，更包含一导电线路层及多个焊球，该导电线路层形成于该第二表面上，以选择性地电性连接这些贯穿孔，而该多个焊球形成于该导电线路层上。

4.如权利要求1所述的芯片堆迭结构，其特征在于，更包含一粘着层，施加于该信号处理芯片模组与该光学芯片模组之间，以结合该信号处理芯片模组与该光学芯片模组。

5.一种制造一芯片堆迭结构的方法，包含下列步骤：

提供一玻璃基板，其中，该玻璃基板具有一第一表面、以及与该第一表面相对的一第二表面，并依据一布局于第一表面上形成多个凹穴，这些凹穴与该第一表面上设有内镀金属材料的多个贯穿孔，其中，这些信号处理芯片分别嵌设于这些凹穴中以与这些贯穿孔电性连接；

提供一晶圆，其中，该晶圆上形成有多个光学芯片；及

迭合该玻璃基板及该晶圆，使对应的该光学芯片及该信号处理芯片，经由这些贯穿孔电性连接。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该迭合该玻璃基板及该晶圆的步骤，是将该晶圆贴合于该玻璃基板的第一表面上。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该迭合该玻璃基板及该晶圆的步骤，包含：

施加一粘着层于该玻璃基板及该晶圆之间。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该提供一玻璃基板的步骤，更包含：

于该第二表面上形成一导电线路层，以选择性地电性连接这些贯穿孔。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，于该迭合该玻璃基板及该晶圆的步骤之后，更包含：

研磨该晶圆；

于该导电线路层上，植入多个焊球；以及

切割迭合后的该玻璃基板及该晶圆。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于，各该信号处理芯片及各该光学芯片更分别包含多个导电接点，该迭合该玻璃基板及该晶圆的步骤，是将这些导电接点对准并电性连接至这些贯穿孔。