[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，具有第一区及第二区；

在该基底上形成第一图案化罩幕层，其中该第一图案化罩幕层在该第一区中具有至少一第一开口且在该第二区中具有至少一第二开口，该第一开口小于该第二开口；

以该第一图案化罩幕层为罩幕，移除部分该基底，以在该第一区的该基底中形成至少一第一沟渠，且同时在该第二区的该基底中形成至少一第二沟渠，其中该第一沟渠的宽度小于该第二沟渠的宽度，且该第一沟渠的深度小于该第二沟渠的深度；

移除该第一图案化罩幕层；

在该第一沟渠上及该第二沟渠上形成第一介电层；以及

在位于该第一沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上及位于该第二沟渠的至少部分侧壁上的该第一介电层上形成导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该第一介电层的材料包括高介电常数材料。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层包括：

第一导体层，填满部分该第一沟渠；以及

第二导体层，填满部分该第二沟渠。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层的形成方法包括：

形成填满该第一沟渠与该第二沟渠的导体材料层；以及

移除该第一沟渠以外与该第二沟渠以外的导体材料层，且移除该第一沟渠中与该第二沟渠中的部分该导体材料层。

5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括在该第一沟渠中且在该第二沟渠中形成填满该第一沟渠与该第二沟渠的第二介电层。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层包括：

第一导体层，填满部分该第一沟渠；以及

第二导体层，填满该第二沟渠并延伸至该第二沟渠两侧的该基底上方。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层的形成方法包括：

形成填满该第一沟渠与该第二沟渠的导体材料层；

形成第二图案化罩幕层，该第二图案化罩幕层覆盖该第二区的该导体材料层；以及

以该第二图案化罩幕层为罩幕，移除该第一沟渠以外的该导体材料层，且移除该第一沟渠中的部分该导体材料层。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，还包括在该第一导体层上与该第二导体层上形成第二介电层，其中该第二介电层位于该第一沟渠中且填满该第一沟渠。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层包括：

第一导体层，仅形成在位于该第一沟渠的部分侧壁上的该第一介电层上；以及

第二导体层，仅形成在位于该第二沟渠的部分侧壁上的该第一介电层上。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层的形成方法包括：

在该第一介电层上形成共形地导体材料层；以及

对该导体材料层进行蚀刻过程，以移除位于该第一沟渠底部、该第二沟渠底部与该第一沟渠的侧壁的上端部的该导体材料层。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该蚀刻过程还包括：

移除位于该第一沟渠底部与该第二沟渠底部的该第一介电层；以及

移除位于该第一沟渠底部下方与该第二沟渠底部下方的部分该基底。

12.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层的形成方法包括：

在该第一介电层上形成共形地导体材料层；

在位于该第一沟渠的侧壁上与位于该第二沟渠的侧壁上的该导体材料层上形成第三图案化罩幕层；

以该第三图案化罩幕层为罩幕，对该导体材料层进行蚀刻过程，以移除位于该第一沟渠底部、该第二沟渠底部与该第一沟渠的侧壁的上端部的该导体材料层。

13.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，该导体层包括：

第一导体层，仅形成在位于该第一沟渠的部分侧壁上的该第一介电层上；以及

第二导体层，共形地形成在该第二区的该第一介电层上。