[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：至少两个存储单元阵列以及多个字线连接装置；

每个存储单元阵列中，位于同一列的存储单元的源极和漏极通过第一金属层依次连接；位于同一行的存储单元的字线以及同一行的存储单元的控制栅极分别通过第二金属层连接在一起；通过填充了导电材料的接触孔将存储单元的有源区连接至第一金属层；所述填充了导电材料的接触孔在存储单元阵列的行方向和列方向均交叉布置；

各存储单元阵列具有相同数量的字线，且所述至少两个存储单元阵列中位于同一行的字线通过所述字线连接装置实现电连接。

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述字线连接装置包括：第一连接线、第二连接线、第三连接线、第一选通晶体管和第二选通晶体管；

所述第一选通晶体管的漏极连接所述第一连接线，栅极接收第一控制信号，源极连接第二连接线的一端；所述第二连接线的另一端连接一存储单元阵列的字线；

所述第二选通晶体管的漏极连接所述第一连接线，栅极接收第二控制信号，源极连接第三连接线的一端；所述第三连接线的另一端连接另一存储单元阵列的字线；

所述第一连接线与外围电路相连，所述外围电路至少用于向存储单元阵列提供工作电压或工作电流。

3.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述第二连接线和第三连接线位于第一金属层；第一连接线位于第二金属层。

4.如权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一连接线、第二连接线和第三连接线均在行方向平行排列。

5.如权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，相邻两条第一连接线之间的间距与第一连接线的宽度相同；

第二连接线与第三连接线的宽度相同；并且相邻两条第二连接线之间的间距、相邻两条第三连接线之间的间距以及相邻第二连接线与第三连接线之间的间距均与第二连接线的宽度相同。

6.如权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一连接线、第二连接线和第三连接线的宽度均在0.18微米~0.22微米的范围内。

7.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一控制信号和第二控制信号均由外围电路产生，且所述外围电路通过第四连接线与所述选通晶体管的栅极相连。

8.如权利要求7所述的半导体存储器，其特征在于，所述第四连接线位于第一金属层；且第四连接线均在列方向上平行排列。

9.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，所述第四连接线的宽度相同。