[发明专利]一种多批次连续运行的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种基于设备自动化系统的多批次连续运行的方法。

背景技术

目前对于半导体器件的制作，一般使用设备自动化系统（以下简称EAP系统）对机台进行控制。例如，在光刻制程中，对联机（inline）设置的涂胶显影机（track）和曝光机（stepper或scanner）进行控制。即，当一个片匣（cassette）被置于涂胶显影机后，EAP系统会与制造执行系统（以下简称MES系统）来核查相关的制程要求，之后则会自动地依顺序进行下列的流程：

1、EAP系统发送开始命令start到涂胶显影机；

2、涂胶显影机开始其加工工作；

3、当片匣中的第一片晶圆（wafer）被传送到涂胶显影机与曝光机之间设置的缓冲站（buffer station）暂存时，曝光机会收到菜单下载命令PPSelect。

对于置于涂胶显影机的每一个片匣，系统都会重复上述第1~3项的流程。当收到所述菜单下载命令PPSelect后，曝光机就会检测对该片匣中晶圆的具体制程要求，选择相匹配的光罩（reticle）并对这一批（即一个lot的）晶圆进行加工处理。然而，如果先后进入曝光机处理的两批晶圆，是进行相同的工艺处理，使用的又是相同的光罩，则曝光机对这两批晶圆各自进行检测并选择新的光罩是没有必要的。这样做，不仅在重复检测上耗费大量的时间，降低生产效率；而且，每个光罩也没有得到充分地利用，增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种多批次连续运行的方法，利用EAP系统控制涂胶显影机发送至曝光机的相关信号，使得各个片匣中制程要求相同的多批晶圆能够连续运行，节省了曝光机进行检测及光罩重置的时间，节约了生产成本，有效提高生产效率。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供一种多批次连续运行的方法，所述方法通过设备自动化系统，控制联机设置的涂胶显影机和曝光机，对接连输送到涂胶显影机的多批晶圆进行加工处理；所述涂胶显影机与曝光机之间设置有暂存晶圆的缓冲站；称连续的多批晶圆中的任意一批为前一批晶圆，这一批之后紧接着输送的一批为后一批晶圆； 

所述方法包含通过所述设备自动化系统对每一批晶圆的批次结束信号的发送进行控制；

即，在前一批晶圆中的所有晶圆都从所述涂胶显影机传送到缓冲站时，控制所述涂胶显影机不向曝光机发送所述前一批晶圆的批次结束信号，从而使所述曝光机将对所述前一批晶圆使用的制程，直接应用到对后一批晶圆的加工，实现这两批晶圆的连续运行；

并且，只有当前后两批晶圆不能连续运行时，才由所述设备自动化系统发送前一批晶圆的批次结束信号，控制曝光机对这两批晶圆使用各自匹配的制程来分别处理。

所述方法包含以下步骤：

步骤1、当装有后一批晶圆的片匣被放置到涂胶显影机上时，所述设备自动化系统向涂胶显影机发送菜单下载命令，而该信号中并不包括所述后一批晶圆的批次结束信号；

步骤2、当后一批晶圆中的第一片被传送到缓冲站以后，通过所述设备自动化系统比较并判断前后两批晶圆的制程要求是否相同；如果一致，转到步骤3，这两批晶圆可以连续运行；如果不一致，则转到步骤4，这两批晶圆就不能连续运行；

步骤3、当前后两批晶圆能够连续运行时，所述设备自动化系统不向曝光机发送前一批晶圆的批次结束信号，使得曝光机按照前一批晶圆既定的制程，直接对后一批晶圆进行加工处理；

步骤4、当前后两批晶圆不能连续运行时，所述设备自动化系统向曝光机发送前一批晶圆的批次结束信号，并发送第二批晶圆的菜单下载命令，以控制所述曝光机选择相匹配的制程，对后一批晶圆进行独立的加工处理。

步骤2中，比较并判断前后两批晶圆的工艺流程、所用的生产程序、所需的光罩是否一致，以及是否是对各个晶圆上位于同一层的薄膜进行处理；只有确认前后两批晶圆的这些方面完全一致后，才能够进行步骤3的连续运行。

步骤1之前，当前一批晶圆中的第一片被传送到缓冲站时，确认装有后一批晶圆的片匣已经放置到涂胶显影机处，否则不能进行连续运行。

与现有技术相比，使用本发明所述多批次连续运行的方法，其优点在于：原先由涂胶显影机发送的批次结束信号，在本发明中设备自动化系统控制批次结束信号的发送， 

并且通过比较前后两批晶圆的制程要求，确定其工艺流程、所用的光罩、生产程序、以及加工的薄膜层在晶圆上的位置都一致时，控制曝光机不再分别进行检测和光罩的重置，而是对这两批晶圆进行连续的加工处理，因此，能够有效节省时间，节约了生产成本，提高机台的利用效率。