[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽由第一子沟槽、以及位于所述第一子沟槽下方的第二子沟槽构成，所述第二子沟槽与所述第一子沟槽贯通，所述第一子沟槽的开口大于所述第二子沟槽的开口，所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底的表面倾斜，所述第二子沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直；

位于所述沟槽侧壁和底部表面的栅介质层；

位于所述栅介质层表面，填充满所述沟槽的栅电极层，所述栅电极层的表面与半导体衬底表面齐平；

位于所述沟槽两侧的半导体衬底内的源区；

位于与所述沟槽相对一侧的半导体衬底内的漏区，所述漏区与所述第二子沟槽相对设置的漏区。

2.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底表面的倾角为10~45°。

3.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述第一子沟槽的底部到所述半导体衬底表面的距离为0.15微米~0.5微米。

4.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。

5.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述栅电极层的材料为多晶硅。

6.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，还包括：位于所述沟槽两侧的源区内的导电插塞，所述导电插塞的顶部不低于所述半导体衬底表面。

7.如权利要求6所述晶体管，其特征在于，所述导电插塞的深度为4千埃~6千埃。

8.如权利要求6所述晶体管，其特征在于，还包括：位于所述栅电极层和半导体衬底表面的氧化衬垫层；位于所述氧化衬垫层表面的掩膜层，所述掩膜层和氧化衬垫层暴露出所述导电插塞表面，所述掩膜层的材料为氮化硅、氧化硅和硼磷硅玻璃中的一种或多种，所述氧化衬垫层的材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述源区的深度为5千埃~7千埃。

10.如权利要求1所述晶体管，其特征在于，所述第二子沟槽的底部向半导体衬底内凹陷，且表面圆滑。

11.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成第一子沟槽，所述第一子沟槽顶部开口的尺寸大于底部，且所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底的表面倾斜；

在所述第一子沟槽下方形成与所述第一子沟槽贯通的第二子沟槽，所述第二子沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直；

在所述第一子沟槽的侧壁、以及所述第二子沟槽的侧壁和底部表面形成栅介质层；

在所述栅介质层表面形成填充满所述第一子沟槽和第二子沟槽的栅电极层，所述栅电极层的表面与半导体衬底表面齐平；

在所述栅电极层和半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出所述第一子沟槽两侧的部分半导体衬底表面；

以所述掩膜层为掩膜，在所述第一子沟槽和第二子沟槽两侧的半导体衬底内形成源区。

12.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底表面的倾角为10~45°。

13.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一子沟槽的底部到所述半导体衬底表面的距离为0.15微米~0.5微米。

14.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一子沟槽的形成工艺为各向同性的干法刻蚀或湿法刻蚀工艺。

15.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二子沟槽的形成工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

16.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。

17.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅电极层的材料为多晶硅。

18.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅、氧化硅和硼磷硅玻璃中的一种或多种。

19.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，形成位于所述第一子沟槽和第二子沟槽两侧的源区内的导电插塞，所述导电插塞的顶部不低于所述半导体衬底表面。