[发明专利]一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件

说明书

技术领域

本发明属于发光显示技术领域，涉及一种微显示器件，具体的说是涉及一种基于AlGaInP发光层的，单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件。

背景技术

基于LED阵列的微型显示系统，是一种采用无机发光二极管芯片制备的微显示器件，具有结构简单、牢固、响应快等优点。

微显示器件的常规器件为双面电极的体结构。体结构的电极结构剖面图由图1所示，即上电极102和下电极104分别位于发光单元103的上下两端。发光单元103内包括有衬底和隔离光栅101。上述微显示器件中，上、下电极分别位于器件的两面，这样虽然可以使上、下电极异面分离，但是会对衬底厚度要求很高：如果衬底太厚，则会影响下电极电流，从而影响发光效率；如果衬底太薄，则器件韧性较差，会给正面和背面的工艺带来很大的制作难度。而且对器件衬底的减薄会给器件造成损伤，从而会影响器件的发光性能。

发明内容

本发明要解决现有技术中的微显示器件在制作过程中对衬底厚度要求很高，不容易制作的技术问题，提供一种基于AlGaInP发光层的，单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件。

为了实现本发明的以上目的，本发明的技术方案如下：

一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，包括

N型衬底层，用来支撑所述微显示器件；

多个发光单元，设置在所述N型衬底层上方，被多条相互交叉的沟槽分隔开；

所述沟槽中填有不透明光阑；

每一行或每一列的多个所述发光单元底部的两侧分别设有条状的下电极；每一列或每一行的所述发光单元上方的两边分别设有条状的上电极；所述上电极与所述下电极的条状方向呈异面垂直。

上述技术方案中，所述发光单元由下至上依次包括：反射层、下限制层、发光层、上限制层、透光层和P型层；所述下电极设置于所述N型衬底层上方的反射层的外侧。

上述技术方案中，所述下电极上方设有绝缘介质层。

上述技术方案中，所述绝缘介质层为Si₃N₄层或SiO₂层。

上述技术方案中，每一行或列的所述上电极，以及每一列或行的所述下电极，分别电铸有电极引线。

本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件具有以下优点：

本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，无需对于器件衬底减薄，避免了正、背面分别做电极带来的工艺困难，避免了对器件造成物理损伤，不会影响器件的发光性能，并且该器件结构简单、牢固，响应快。

本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，其上、下电极结构分别为以双条形结构为重复单元组成的图形，方向呈异面垂直，这种对称的电极分布有利于得到均匀的电流分布，从而提高发光均匀度。本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件可用于更多像素点的阵列微显示器件。

附图说明

图1是传统的体结构微显示器件的电极结构剖面图；

图2是本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的一种具体实施方式中的俯视图；

图3是图2中所示具体实施方式中的A-A位置剖视图；

图4是图2中所示具体实施方式中的B-B位置剖视图；

图5是图2中所示具体实施方式中的C-C位置剖视图；

图6是图2中所示具体实施方式中的D-D位置剖视图；

图中附图标记表示为：

101-隔离光阑；102-上电极；103-发光单元；104-下电极；

1-N型衬底层；2-反射层；3-下限制层；4-发光层；5-上限制层；6-透光层；7-P型层；8-上电极；9-下电极；10-隔离沟槽；

11-不透明光阑；12-绝缘介质；13-下台面。

具体实施方式

本发明的发明思想为，对于LED阵列微显示器件，其电极形状是决定其发光效率和发光均匀性的重要因素，电极形状的设计要综合考虑透光窗口的面积和电极下方电流的分布均匀度。

本发明提出的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难，不会对器件产生损伤，因而不会对器件发光产生任何影响。本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件,具有异面垂直的双条形的上、下电极，可以在理论上得到较高的发光效率，并且通过电流分布的仿真，可以得到较为均匀的电流分布。