[发明专利]一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件有效
| 申请号： | 201210255688.9 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102790071A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 田超;梁静秋;梁中翥;王维彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/38 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单面 电极 结构 algainp led 集成 显示 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，其特征在于，包括
N型衬底层，用来支撑所述微显示器件；
多个发光单元，设置在所述N型衬底层上方，被多条相互交叉的沟槽分隔开；
所述沟槽中填有不透明光阑；
每一行或每一列的多个所述发光单元底部的两侧分别设有条状的下电极；每一列或每一行的所述发光单元上方的两边分别设有条状的上电极；所述上电极与所述下电极的条状方向呈异面垂直。
2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述发光单元由下至上依次包括：反射层、下限制层、发光层、上限制层、透光层和P型层；所述下电极设置于所述N型衬底层上方的反射层的外侧。
3.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述下电极上方设有绝缘介质层。
4.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，所述绝缘介质层为Si3N4层或SiO2层。
5.根据权利要求1-4任一所述的微显示器件，其特征在于，每一行或列的所述上电极，以及每一列或行的所述下电极，分别电铸有电极引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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