[发明专利]IGBT模块短接桥

说明书

技术领域

本发明属于电子制造领域，特别涉及一种应用于IGBT模块的短接桥。

背景技术

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）具有高频率、高电压、大电流、尤其是容易开通和关断的性能特点，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品，至今已经发展到第六代，商业化已发展到第五代。目前，IGBT已广泛应用于国民经济的各行业中。

IGBT模块主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中，采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率，提高用电质量。近年来，世界范围内IGBT器件发展迅速，特别是中国发展速度最快，成为IGBT最大消费国。当今以IGBT模块为代表的新型电力电子器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件，它的性能参数直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。未来随着国家节能减排、加强自主创新能力等政策的引导和支持，IGBT市场需求还将进一步增长。

根据IGBT模块结构不同，GE（栅极和发射极）短接采取的方法不同，主要有三种方法：

（1）短接片连接，设计专门的金属短接片，通过螺丝拧紧实现GE短接，仅适用于折弯型电极模块。

（2）金属箔带或金属丝连接，通常选择铜箔带，将电极的GE极紧贴连接，仅适用于折弯型电极模块。

（3）导电泡沫连接，选择导电泡沫连接GE电极，仅适用于直插式端子电极模块。

（4）短接环连接，设计专门的短接金属环，将短接金属环插在直插式控制端子上，仅适用于直插式端子电极模块。

上述GE短接的缺点在于：IGBT模块封装制造过程中，因封装工艺需要，需多次拆卸和安装GE连接，且要求GE连接可靠，对于折弯型电极模块，短接片连接，连接可靠，但安装拆卸不便，且不适用于直插式端子电极模块；金属箔带或金属丝连接，容易GE短接不牢靠，且多次拆卸、安装不便，且材料消耗大；对于直插式端子电极模块，导电泡沫和金属短接环连接，虽操作方便，但多次拆卸、安装，容易出现虚连接，且不适用于折弯型电极模块。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明解决的技术问题是提供一种连接牢固，安装、拆卸方便，可重复使用的IGBT模块GE短接桥。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明公开了一种IGBT模块短接桥，所述短接桥连接于所述IGBT模块的栅极和发射极之间，其中，所述短接桥由一弹片冲压而成，包括一弹压部，该弹压部的两端分别延伸形成一与所述IGBT模块的栅极相接触的第一延伸部，及一与所述IGBT模块的发射极相接触的第二延伸部。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述弹压部包括相对设置的第一弹性臂、第二弹性臂以及连接在所述第一弹性臂和第二弹性臂之间的连接部，所述第一弹性臂和第二弹性臂分别自所述第一延伸部和第二延伸部的末端折弯形成。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述第一弹性臂垂直于所述第一延伸部，所述第二弹性臂垂直于所述第二延伸部。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述连接部折弯形成有至少一个圆弧面。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述连接部为平板状。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述第一延伸部和第二延伸部包括折弯形成的台阶部，所述台阶部的末端延伸有接触部，所述接触部的宽度小于所述第一延伸部或第二延伸部的宽度。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述短接桥的长度为：L~2L，其中，L为所述IGBT模块栅极和发射极的中心距。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述连接部的长度为：0.5L~L,其中，L为所述IGBT模块栅极和发射极的中心距。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述短接桥的高度为10~50mm。

优选的，在上述IGBT模块短接桥中，所述短接桥是由铂青铜带制成的。