[发明专利]IGBT模块短接桥

权利要求书

1.一种IGBT模块短接桥，所述短接桥连接于所述IGBT模块的栅极和发射极之间，其特征在于：所述短接桥由一弹片冲压而成，包括一弹压部，该弹压部的两端分别延伸形成一与所述IGBT模块的栅极相接触的第一延伸部，及一与所述IGBT模块的发射极相接触的第二延伸部。

2.根据权利要求1所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述弹压部包括相对设置的第一弹性臂、第二弹性臂以及连接在所述第一弹性臂和第二弹性臂之间的连接部，所述第一弹性臂和第二弹性臂分别自所述第一延伸部和第二延伸部的末端折弯形成。

3.根据权利要求2所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述第一弹性臂垂直于所述第一延伸部，所述第二弹性臂垂直于所述第二延伸部。

4.根据权利要求2所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述连接部折弯形成有至少一个圆弧面。

5.根据权利要求2所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述连接部为平板状。

6.根据权利要求2所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述第一延伸部和第二延伸部包括折弯形成的台阶部，所述台阶部的末端延伸有接触部，所述接触部的宽度小于所述第一延伸部或第二延伸部的宽度。

7.根据权利要求6所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述短接桥的长度为：L~2L，其中，L为所述IGBT模块栅极和发射极的中心距。

8.根据权利要求2所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述连接部的长度为：0.5L~L,其中，L为所述IGBT模块栅极和发射极的中心距。

9.根据权利要求1所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述短接桥的高度为10~50mm。

10.根据权利要求1所述的IGBT模块短接桥，其特征在于：所述短接桥是由铂青铜带制成的。