[发明专利]双侧冷却功率半导体模块及使用该模块的多堆叠功率半导体模块包

权利要求书

1.一种双侧冷却功率半导体模块，该双侧冷却功率半导体模块包括：

第一冷却器，该第一冷却器的一个表面上沿厚度方向形成有凹部；

第一半导体芯片，该第一半导体芯片安装在所述第一冷却器的所述凹部上；

第二冷却器，该第二冷却器具有一个表面和另一个表面并且形成在所述第一冷却器的一个表面上，使得所述第二冷却器的所述一个表面与所述第一半导体芯片接触；

电路板，该电路板形成在所述第二冷却器的所述另一个表面上；

第二半导体芯片，该第二半导体芯片安装在所述电路板上；以及

挠性基板，该挠性基板具有电路层，该电路层将所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片相互电连接。

2.根据权利要求1所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，所述挠性基板粘附于所述第一冷却器和第二冷却器的外周面。

3.根据权利要求1所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，该双侧冷却功率半导体模块还包括：

第一绝缘层，该第一绝缘层形成在所述第一冷却器的所述凹部的底表面上；以及

第一电路图案，该第一电路图案形成在所述第一绝缘层上，

其中所述第一半导体芯片结合于所述第一电路图案，

所述挠性基板的所述电路层包括电路图案和通路，并且

所述通路将所述第一电路图案和所述电路图案相互电连接。

4.根据权利要求3所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，所述第一电路图案包括栅极图案和发射极图案。

5.根据权利要求1所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，该双侧冷却功率半导体模块还包括：

第二绝缘层，该第二绝缘层形成在所述第二冷却器的一个表面上；以及

第二电路图案，该第二电路图案形成在所述第二绝缘层上，

其中所述第一半导体芯片结合于所述第二电路图案。

6.根据权利要求5所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，所述第二电路图案为集电极图案。

7.根据权利要求1所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，所述第一半导体芯片包括绝缘栅双极型晶体管和二极管。

8.根据权利要求7所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，该双侧冷却功率半导体模块还包括垫片，该垫片设置在所述绝缘栅双极型晶体管和所述第二冷却器的一个表面之间。

9.根据权利要求1所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，所述第二半导体芯片为控制元件。

10.根据权利要求1所述的双侧冷却功率半导体模块，其中，所述第一冷却器和第二冷却器中的每一个的内部沿长度方向形成有至少一个冷却通道。

11.一种多堆叠功率半导体模块包，该多堆叠功率半导体模块包包括：

第1-1冷却器，该第1-1冷却器的一个表面上沿厚度方向形成有第一凹部；

第1-1半导体芯片，该第1-1半导体芯片安装在所述第1-1冷却器的第一凹部上；

第1-2冷却器，该第1-2冷却器形成在所述第1-1冷却器的一个表面上，使得所述第1-2冷却器的一个表面上沿厚度方向形成有第二凹部，另一个表面与所述第1-1半导体芯片接触；

第1-2半导体芯片，该第1-2半导体芯片安装在所述第1-2b冷却器的第二凹部上；

第二冷却器，该第二冷却器具有一个表面和另一个表面并且形成在所述第1-2冷却器的一个表面上，使得所述第二冷却器的一个表面与所述第1-2半导体芯片接触；

电路板，该电路板形成在所述第二冷却器的所述另一个表面上；

第二半导体芯片，该第二半导体芯片安装在所述电路板上；

第一挠性基板，该第一挠性基板形成有电路层，该电路层将所述第1-1半导体芯片和所述第二半导体芯片相互电连接；以及

第二挠性基板，该第二挠性基板形成有电路层，该电路层将所述第1-2半导体芯片和所述第二半导体芯片相互电连接。

12.根据权利要求11所述的多堆叠功率半导体模块包，其中，所述第一挠性基板粘附于所述第1-1冷却器、所述第1-2冷却器和所述第二冷却器的外周面。

13.根据权利要求11所述的多堆叠功率半导体模块包，其中，所述第二挠性基板粘附于所述第1-2冷却器和所述第二冷却器的外周面。