[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201210253759.1 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN102891096A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 长田直之;杉本健太郎 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,将基板保持为大致水平姿势并使上述基板旋转,
罩,包围上述基板保持单元的周围,
喷嘴臂,在前端具有用于向被上述基板保持单元保持的基板排出处理液的排出头,
旋转驱动部,使上述喷嘴臂旋转,以使上述排出头在位于被上述基板保持单元保持的基板的上方的处理位置与位于上述罩的外侧的待机位置之间移动,
喷嘴臂清洗单元,至少清洗上述喷嘴臂的特定部位,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述旋转驱动部设置于上述罩的外侧,并与上述喷嘴臂的基端相连接,
上述喷嘴臂清洗单元具有喷淋喷嘴,在上述排出头位于上述待机位置时,该喷淋喷嘴向上述喷嘴臂喷出清洗液。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述基板处理装置还具有用于使上述喷嘴臂升降的升降驱动部,
上述喷淋喷嘴固定设置于上述罩的外侧,朝向斜下方喷出清洗液,
上述升降驱动部使上述喷嘴臂升降,以使上述喷嘴臂穿过从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,上述喷淋喷嘴向远离上述基板保持单元的方向喷出清洗液。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,上述基板处理装置还具有气体喷出部,上述气体喷出部至少向上述喷嘴臂的附着有从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的部位吹送干燥用气体来进行干燥。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,上述气体喷出部设置于,在上述排出头位于上述待机位置时能够从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体的位置。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,在上述旋转驱动部上沿着水平方向相互平行地连接有多个上述喷嘴臂。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
9.一种基板处理方法,其特征在于,包括:
旋转工序,使在前端具有排出头的喷嘴臂旋转,以使上述排出头在处理位置与待机位置之间移动,其中,上述排出头用于向被基板保持单元保持为大致水平姿势并进行旋转的基板排出处理液,上述处理位置位于被上述基板保持单元保持的基板的上方,上述待机位置位于对上述基板保持单元的周围进行包围的罩的外侧,
喷嘴臂清洗工序,至少清洗上述喷嘴臂的特定部位,该特定部位是指,在上述排出头移动到上述处理位置时与被上述基板保持单元保持的基板相向的部位。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法,其特征在于,上述喷嘴臂清洗工序包括清洗液喷出工序,在上述清洗液喷出工序中,在上述排出头位于上述待机位置时从喷淋喷嘴向上述喷嘴臂喷出清洗液。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其特征在于,在上述清洗液喷出工序中,一边从上述喷淋喷嘴朝向斜下方喷出清洗液,一边使上述喷嘴臂升降,以使上述喷嘴臂穿过从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的液流。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其特征在于,上述喷淋喷嘴向远离上述基板保持单元的方向喷出清洗液。
13.根据权利要求10所述的基板处理方法,其特征在于,上述基板处理方法还包括喷嘴臂干燥工序,在上述喷嘴臂干燥工序中,至少向上述喷嘴臂的附着有从上述喷淋喷嘴喷出的清洗液的部位吹送干燥用气体来进行干燥。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法,其特征在于,在上述喷嘴臂干燥工序中,在上述排出头位于上述待机位置时,从上述喷嘴臂的前端侧吹送干燥用气体。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,上述喷嘴臂沿着水平方向相互平行地设置有多个。
16.根据权利要求9至14中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,在上述喷嘴臂上的上述排出头的侧方附设有用于向从上述排出头排出的处理液中混合气体的气体排出部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造