[发明专利]喷墨头加热芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种喷墨头加热芯片，其特征在于其包括：

衬底；

内层介电层，位于该衬底上；

电阻层，位于该衬底与该内层介电层之间，其中该电阻层在一长度方向上具有一第一端部、一第二端部以及位于该第一端部与该第二端部间的加热区；

第一介层窗插塞，穿过该内层介电层并与该第一端部接触，其中该第一介层窗插塞的长度为1μm至50μm，且该第一介层窗插塞边界与该加热区在该长度方向的距离小于5μm；

第二介层窗插塞，穿过该内层介电层并与该第二端部接触，其中该第二介层窗插塞的长度为1μm至50μm，且该第二介层窗插塞边界与该加热区在该长度方向的距离小于5μm；

控制元件，与该第二介层窗插塞电性连接；以及

保护层，位于该内层介电层、该第一介层窗插塞、该第二介层窗插塞以及该电阻层上。

2.根据权利要求1所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该加热区上的该内层介电层的厚度小于该加热区以外的该内层介电层的厚度。

3.根据权利要求1所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该内层介电层具有开口，暴露出该电阻层的该加热区。

4.根据权利要求1所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该保护层位于该控制元件上。

5.根据权利要求1所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该控制元件包括金属氧化物半导体场效晶体管。

6.根据权利要求5所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该金属氧化物半导体场效晶体管包括：

栅极，位于该衬底上；

栅极介电层，位于该栅极与该衬底之间；以及

第一掺杂区与第二掺杂区，分别位于该栅极两侧的该衬底中。

7.根据权利要求6所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该第一掺杂区与该第二介层窗插塞电性连接。

8.根据权利要求1所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该内层介电层包括磷硅酸盐玻璃。

9.根据权利要求1所述的喷墨头加热芯片，其特征在于该第一介层窗插塞的长度为5μm至50μm且该第二介层窗插塞的长度为5μm至50μm。 

10.一种喷墨头加热芯片的制造方法，其特征在于其包括：

提供一衬底，其中该衬底上形成有隔离结构，且该衬底包括与该隔离结构相邻的一主动区；

在该主动区上形成栅极介电层；

在该衬底上形成材料层；

图案化该材料层，使其在该隔离结构上形成电阻层，且在该栅极介电层上形成栅极，其中，该电阻层在一长度方向上具有一第一端部、一第二端部以及位于该第一端部与该第二端部间的加热区；

在该栅极的两侧形成第一掺杂区以及第二掺杂区；

在该衬底上形成内层介电层；

形成穿过该内层介电层的第一介层窗插塞、第二介层窗插塞以及第三介层窗插塞，其中该第一介层窗插塞与该第一端部接触，该第二介层窗插塞与该第二端部接触，该第三介层窗插塞与该第一掺杂区接触；

在该内层介电层上形成电性连接该第二介层窗插塞与该第三介层窗插塞的导电层；以及

在该内层介电层及该导电层上形成保护层。

11.根据权利要求10所述的喷墨头加热芯片的制造方法，其特征在于形成该导电层的步骤包括形成与该第一介层窗插塞电性相连的该导电层。

12.根据权利要求10所述的喷墨头加热芯片的制造方法，其特征在于在形成该第一介层窗插塞、该第二介层窗插塞以及该第三介层窗插塞之后，更包括移除部分该内层介电层，使得该加热区上的该内层介电层的厚度小于该加热区以外的该内层介电层的厚度。

13.根据权利要求10所述的喷墨头加热芯片的制造方法，其特征在于在形成该第一介层窗插塞、该第二介层窗插塞以及该第三介层窗插塞之后，更包括移除部分该内层介电层，使得该内层介电层具有开口，暴露出该电阻层的该加热区。

14.根据权利要求10所述的喷墨头加热芯片的制造方法，其特征在于该第一介层窗插塞的长度为1μm至50μm，且该第二介层窗插塞的长度为1μm至50μm。

15.根据权利要求10所述的喷墨头加热芯片的制造方法，其特征在于该第一介层窗插塞的长度为5μm至50μm，且该第二介层窗插塞的长度为5μm至50μm。