[发明专利]电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子部件和一种用于制造电子部件的方法。

背景技术

当半导体芯片被安装到例如引线框架的导电载体上时，由于半导体材料和载体材料的不同的热膨胀系数的原因问题可能出现。特别地，如果在半导体芯片到载体上的安装处理期间，例如在焊接处理(T = 380℃)中或者在粘合处理(T = 200℃)中特定的升高温度被施加到组件，由于不同的热膨胀系数的原因非常高的热机械应力可能出现。在减薄的半导体芯片的情况下由于撕裂和裂缝的形成这些应力反应甚至可以导致半导体芯片的宏观损伤。在其它情况下应力可以导致半导体衬底的强形变，使得后面的处理步骤不再是可能的，例如，激光震颤（laser thrilling）、层压成形、引线结合等。一般而言，在半导体芯片中生成的应力严重地影响后面的处理步骤的可靠性。

附图说明

附图被包括来提供实施例的进一步理解且被并入并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易地了解其它实施例和实施例的许多预定优点，因为通过参考以下的具体描述它们变得更好理解。附图的元素不必相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记表示对应的相似部分；

图1示出了根据一个实施例的电子部件的示意截面侧视图表示；

图2A、2B示出了根据一个实施例的电子部件的示意顶视图表示(图2A)和沿着线B-B的示意截面侧视图表示(图2B)；

图3示出了根据一个实施例的电子部件的示意截面侧视图表示；

图4示出了根据一个实施例的电子部件的示意截面侧视图表示；

图5示出了根据一个实施例的用于制造电子部件的方法的流程图；

图6示出了根据一个实施例的用于制造电子部件的方法的流程图；以及

图7A-7F示出根据一个实施例的中间产品的示意顶视图表示以说明用于制造电子部件的方法。

具体实施方式

现参考附图对各方面和实施例进行描述，其中相同的附图标记通常被利用来在所有图中指代相同的元素。在以下描述中，为了解释的目的，陈述了许多细节以便提供实施例的一个或多个方面的完全理解。然而，对本领域的技术人员显而易见的是，实施例的一个或多个方面可以使用更少程度的细节来实现。在其它实例中，已知的结构和元素被以示意的形式示出以便帮助描述实施例的一个或多个方面。应当理解的是，在不背离本发明的范围的情况下可以利用其它的实施例并且可以进行结构上的或逻辑上的变化。应该进一步注意到附图未按比例绘制或者不必按比例绘制。

此外，虽然可以相对于若干实施方式中的仅一个公开实施例的特定特征或方面，但是这样的特征或方面可以按照所期望的并且对任何给定的或特定的应用有利的那样与其它的实施方式的一个或多个特征或方面组合。另外，如果术语“包括”、“具有”、“含有”或其其它变体被用在具体描述或权利要求中，则这样的术语旨在以类似于术语“包含”的方式进行包括。可以使用术语“耦合”或“连接”以及派生词。应该理解的是，这些术语可以被用来指示两个元素合作或者彼此交互而不管它们是否处于直接的物理或电接触，或者它们彼此未直接接触。同样地，术语“示例性的”仅仅意指示例，而不是最佳的或最优的。因此，以下的具体描述未在限制意义上采用，并且本发明的范围由所附权利要求限定。

电子部件和用于制造电子部件的方法的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或在半导体芯片中合并的电路，其中有逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS(微电子机械系统)、功率集成电路、具有集成无源器件的芯片等。实施例也可以使用包括MOS晶体管结构或垂直晶体管结构的半导体芯片，所述结构例如IGBT(绝缘栅双极型晶体管)结构，或者一般而言，其中至少一个电接触垫被布置在半导体芯片的第一主面上并且至少一个其它电接触垫被布置在与半导体芯片的第一主面相对的半导体芯片的第二主面上的晶体管结构。

在若干实施例中层或层堆叠被施加到彼此，或者材料被施加或者沉积到层上。应该了解的是，如“施加”或“沉积”这样的术语旨在字面上覆盖将层施加到彼此之上的所有种类和技术。特别地，它们旨在覆盖其中层被作为整体施加一次的技术（例如层压技术）以及其中层被以顺序方式沉积的技术（例如溅射、电镀、模塑法、CVD等）。