[发明专利]电子部件

权利要求书

1.一种电子部件，包括：

包括第一载体表面的导电载体；

包括第一芯片表面的半导体芯片，其中，所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或二者包括非平面结构，并且其中所述半导体芯片被附着到所述载体，并且所述第一芯片表面面向所述第一载体表面，使得由于所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或二者的所述非平面结构的原因在所述第一芯片表面与所述第一载体表面之间提供间隙；以及

位于所述间隙中的第一电沉积金属层。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述非平面结构归因于表面粗糙度。

3.根据权利要求2所述的电子部件，其中，所述表面粗糙度的特征在于大于3 μm的平均凹陷深度。

4.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述非平面结构归因于人工表面处理。

5.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述半导体芯片包括面向所述载体的金属化层。

6.根据权利要求1所述的电子部件，进一步包括：

位于横向地在所述半导体芯片旁边的所述第一载体表面上的第二电沉积金属层。

7.根据权利要求6所述的电子部件，其中，所述第一芯片表面与所述第二电沉积金属层的表面共面。

8.根据权利要求1所述的电子部件，其中，所述载体包括从所述第一载体表面延伸到另一载体表面的一个或多个通孔。

9.一种电子部件，包括：

包括第一载体表面的导电载体；

包括第一芯片表面的半导体芯片，所述半导体芯片被附着到所述载体使得所述第一芯片表面面向所述第一载体表面；

位于所述第一芯片表面与所述第一载体表面之间的至少两个间隔件，从而在所述第一芯片表面与所述第一载体表面之间提供间隙；以及

在所述间隙中提供的第一电沉积金属层。

10.根据权利要求9所述的电子部件，其中，所述至少两个间隔件靠近所述半导体芯片的拐角。

11.根据权利要求9所述的电子部件，其中，所述至少两个间隔件由导电材料、焊料材料、粘合材料以及电介质材料中的一个或多个制造。

12.根据权利要求9所述的电子部件，其中，所述半导体芯片包括面向所述载体的金属化层。

13.根据权利要求9所述的电子部件，进一步包括：

位于横向地在所述半导体芯片旁边的所述第一载体表面上的第二电沉积金属层。

14.根据权利要求13所述的电子部件，其中，所述第一芯片表面与所述第二电沉积金属层的表面共面。

15.根据权利要求9所述的电子部件，其中，所述至少两个间隔件的直径在从0.5至50 μm的范围内。

16.根据权利要求15所述的电子部件，其中，所述直径在从2至20 μm的范围内。

17.根据权利要求9所述的电子部件，其中，所述载体包括从所述第一载体表面延伸到另一载体表面的一个或多个通孔。

18.一种用于制造电子部件的方法，所述方法包括：

提供包括第一载体表面的导电载体；

提供包括第一芯片表面的半导体芯片，其中，所述第一载体表面与所述第一芯片表面中的一个或二者包括非平面结构；

将所述半导体芯片附着到所述载体，其中所述第一芯片表面面向所述第一载体表面，使得由于所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或二者的所述非平面结构的原因在所述第一芯片表面与所述第一载体表面之间提供间隙；以及

在所述间隙中电沉积第一金属层。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

处理所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或二者以获得所述非平面结构。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述处理包括将凹陷和隆凸的规则图案形成到所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或多个中。

21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述规则图案包括网格图案。