[发明专利]一种超厚超硬涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210249221.3 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN102756514A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 马胜利;徐可为;李泽宇 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B32B15/04 分类号: B32B15/04;B32B9/00;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 超厚超硬 涂层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种超厚超硬涂层,其特征在于:包括沉积于基体表面的Ti底层、制备于Ti底层上的TiN过渡层以及制备于TiN过渡层上的TiAlSiCN涂层,该超厚超硬涂层的厚度≥20微米。

2.根据权利要求1所述一种超厚超硬涂层,其特征在于:所述超厚超硬涂层的Ti源为柱型电弧Ti靶,Si、Al和C的来源为相应的平面磁控溅射Si靶、Al靶和C靶,N的来源为用作反应气体的N2

3.一种制备如权利要求1所述超厚超硬涂层的方法,其特征在于:包括以下步骤:

1)将预处理后的基体放入真空室,开始抽真空并加热到200℃,当真空室气压达到6Pa时,开偏压到-1000V对真空室进行轰击清洗,持续30min;然后开柱型电弧Ti靶,柱弧电流为100A,利用电弧进一步对真空室轰击清洗,持续5min;

2)经过步骤1)后,向真空室通入Ar,通过调节Ar流量将真空室气压调至0.3Pa,然后开启柱型电弧Ti靶,柱弧电流为100A,调整偏压到-200V,持续10min,在基体上制备0.5微米厚的Ti底层;

3)向真空室通入流量为10mL/min的N2,持续20min,在Ti底层上制备1微米厚的TiN过渡层;

4)将偏压调整为-100V,N2流量调整为15mL/min,柱弧电流为100A,打开平面磁控溅射Si靶、Al靶和C靶的控制电源,逐渐将Si靶、Al靶和C靶的电源功率分别调至1kW、8kW和3.5kW,调节Ar流量将真空室气压保持在0.7Pa,在TiN过渡层上制备TiAlSiCN超厚超硬涂层,镀膜过程中真空室温度为200℃,持续时间为16小时。

4.根据权利要求3所述一种制备超厚超硬涂层的方法,其特征在于:所述基体置于真空室内的转架杆上,转架杆随真空室内的转台架转动,转架杆也可以自转。

5.根据权利要求3所述一种制备超厚超硬涂层的方法,其特征在于:所述预处理的方法为:对基体进行表面除油、抛光后浸入丙酮中超声波清洗,然后酒精脱水。

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