[发明专利]氯化物熔盐体系中Pt基体上电沉积制备Ir层的方法无效
申请号: | 201210247725.1 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN102776537A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 钱建刚;赵天 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C25D3/66 | 分类号: | C25D3/66 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人: | 李有浩 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氯化物 体系 pt 基体 沉积 制备 ir 方法 | ||
1.一种氯化物熔盐体系中Pt基体上电沉积制备Ir层的方法,其特征在于:是采用高温环境下的恒电流方式进行电沉积,应用所述的氯化物熔盐体系在阴极上进行电沉积制备Ir层的步骤有:
步骤一:配制电沉积液
第101步:将按摩尔比为1︰1称取的氯化钠NaCl和氯化钾KCl进行混合得到混合物,然后将所述混合物加入到电解池(7)中,随后密封好电解池(7);
第102步:通过抽真空口(21)对电解池(7)进行抽真空,使电解池(7)内真空度达到2×10-5Pa~4×10-5Pa;
第103步:调节井式电阻炉(5),并以升温速率为3~10℃/min,升温至300℃,保持300℃脱水2~5小时后,边抽真空边通过充氩气口(22)向电解池(7)内充入氩气;
第104步:继续升温到工作温度790℃~890℃后通过加料口(23)向电解池(7)内加入铱盐,保持工作温度790℃~890℃下静置5min~10min,得到电沉积槽液;
用量:先将NaCl和KCl以摩尔比为1︰1进行混合得到混合物;100g的所述混合物中加入2g~15g的铱盐;
所述铱盐可以是三氯化铱IrCl3,三氟化铱IrF3,三溴化铱IrBr3中的一种;
步骤二:选电极
阳极(1):石墨、铂或铱中的一种;
阴极(3):阴极选用Pt;
步骤三:恒电流条件电沉积
第301步:将选取的阴极(3)和阳极(1)分别与电解池(7)和直流稳压稳流电源装配好;
第302步:设置直流稳压稳流电源输出的阴极电流密度为5mA/cm2~50mA/cm2;
第303步:设置井式电阻炉(5)工作温度为790℃~890℃下,电沉积时间为0.5h~5h;电沉积结束后,取出阴极(3),即得到第一试样;
第304步:将第一试样置于装有无水乙醇的超声清洗池中,调节超声清洗仪的超声频率为20kHz~50kHz,超声清洗时间2min~10min,清洗后得到第二试样;
第305步:将第二试样置于装有去离子水的超声清洗池中,调节超声清洗仪的超声频率为20kHz~50kHz,超声清洗时间2min~10min,清洗后得到第三试样;
第306步:将第三试样在温度为15℃~35℃下静置干燥后,得到沉积铱层试样;
所述沉积铱层试样中铱沉积铱层的厚度为0.01mm~0.2mm。
2.根据权利要求1所述的氯化物熔盐体系中Pt基体上电沉积制备Ir层的方法,其特征在于:在第301步中阳极(1)与阴极(3)之间的间距为30mm。
3.根据权利要求1所述的氯化物熔盐体系中Pt基体上电沉积制备Ir层的方法,其特征在于:沉积铱层试样中沉积层为Ir单质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210247725.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:低功耗相变存储单元及其制备方法
- 下一篇:多功能抽油杆悬挂防喷装置