[发明专利]电光装置、投影型显示装置、电子设备及电光装置的制造方法有效
申请号: | 201210247312.3 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN102890376B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 伊藤智;江上孝史;曾我部英德 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1345;G02F1/1333;G03B21/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 陈海红,段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 投影 显示装置 电子设备 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶装置等的电光装置、投影型显示装置及电子设备。更详细地,涉及电光装置中的像素电极周边的构成。
背景技术
在用于液晶装置和/或有机电致发光装置等的电光装置的元件基板中,具备像素电极的像素配置为矩阵状,像素电极介由形成于绝缘膜的接触孔导通于下层侧的导电层(例如,参照专利文献1)。
在如此的电光装置中,若接触孔的平面尺寸大,则显示质量下降。例如,在液晶装置中,若接触孔的平面尺寸大,在像素电极的表面会形成大的凹凸,则无法适当地形成取向膜。并且,在透射型的液晶装置的情况下,因为在接触孔中,光不透射,所以显示光量减少。并且,在反射型的液晶装置的情况下,若在像素电极的表面形成大的凹凸,则在产生凹凸的部位处,光的反射方向紊乱的结果,形成凹凸的部分不参与显示。
另一方面,存在采用以下构成的情况:在层间绝缘膜的接触孔内埋入插头,介由如此的插头使像素电极与下层侧的电极导通(例如,参照专利文献2)。根据如此的构成,接触孔的平面尺寸小亦无妨,并且在像素电极的表面不形成大的凹凸。
专利文献1特开2006-317903号公报
专利文献2特开2011-64849号公报
可是,在利用插头的导通结构的情况下,为了形成插头,必需重新准备在电光装置中通常不使用的钨等的金属材料,所以成本增大。并且,在采用通过插头产生的导通结构的情况下,必需进行直到接触孔填满为止对插头用的金属膜进行溅射成膜得厚的工序和以化学机械抛光等的方法使层间绝缘膜平坦化的工序,因为在这些工序之中的对插头用的金属膜进行溅射成膜得厚时必需很多的时间,所以生产率降低。
发明内容
鉴于以上的问题点,本发明的目的在于提供即使不用插头用的特殊的金属,利用以其他目的形成于电光装置的膜,也能够不占用大的面积且在像素电极的表面不产生大的凹凸地形成像素电极的导通部分的电光装置、投影型显示装置及电子设备。
用于解决所述问题,本发明涉及的电光装置特征为:具有多个像素电极、第1绝缘膜、导电层和第2绝缘膜,所述多个像素电极设置于基板的一方的面侧,所述第1绝缘膜设置于所述基板与所述像素电极之间,在俯视与所述像素电极重叠的位置具备朝向所述像素电极突出的柱状凸部,所述导电层设置于该第1绝缘膜与所述像素电极之间,具备俯视重叠于所述柱状凸部的顶端面的导通部,所述第2绝缘膜设置于所述导电层与所述像素电极之间,在所述像素电极侧的面使所述导通部露出;所述像素电极叠层于所述第2绝缘膜的该像素电极侧的面而与所述导通部导通。
并且,本发明涉及的电光装置的制造方法特征为:包括第1绝缘膜形成工序、柱状凸部形成工序、导电层形成工序、第2绝缘膜形成工序、导通部露出工序和像素电极形成工序,所述第1绝缘膜形成工序在基板的一方的面侧形成第1绝缘膜;所述柱状凸部形成工序对所述第1绝缘膜的表面部分性地进行蚀刻而在所述第1绝缘膜形成朝向上方突出的柱状凸部;所述导电层形成工序在包括所述柱状凸部的形成区域的所述第1绝缘膜上形成导电层;所述第2绝缘膜形成工序在该导电层上形成第2绝缘膜;所述导通部露出工序从表面侧去除所述第2绝缘膜而在所述导电层中使俯视重叠于所述柱状凸部的顶端面的部分作为导通部露出;所述像素电极形成工序在包括所述导通部的露出区域的所述第2绝缘膜上形成像素电极。
在本发明中,在设置于像素电极与基板之间的第1绝缘膜,在与像素电极重叠的位置形成朝向像素电极突出的柱状凸部,导电层的导通部重叠于如此的柱状凸部的顶端面。并且,虽然在导电层与像素电极之间设置第2绝缘膜,但是在如此的第2绝缘膜的像素电极侧的面上导通部露出。因此,若将像素电极叠层于第2绝缘膜,则像素电极与导通部导通。因此,相比于利用形成于绝缘膜的接触孔而使像素电极与导电层导通的结构,接触部的平面尺寸小亦无妨,并且在像素电极的表面也不会产生大的凹凸。并且,能够利用以其他目的形成于所谓的导电层和/或绝缘膜等的电光装置的膜而进行像素电极的导通,不必厚厚地蒸镀插头用的特殊的金属。
在本发明中,优选:所述导通部的所述像素电极侧的面与所述第2绝缘膜的所述像素电极侧的面形成连续的平坦面。根据如此的构成,能够将像素电极形成于平坦面上。
在本发明中,优选:具备设置于所述导电层与所述基板之间的电容电极层和设置于所述电容电极层与所述导电层之间的电介质层;通过所述电容电极层、所述电介质层及所述导电层构成存储电容。即,优选:利用构成存储电容的电极层(导电层)而进行像素电极的导通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210247312.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。