[发明专利]非易失性存储装置及其写入控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

存储器单元阵列；以及

写入操作控制器，所述写入操作控制器被配置成通过比较所述写入操作控制器的输入数据与写入所述存储器单元阵列的单元数据来验证写入操作，在预设时间经过之后测量电阻值，以及根据测量的电阻值来判断是否再次执行所述写入操作。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述写入操作控制器被配置成比较所述测量的电阻值与计算的参考电阻值，并根据比较结果来判断是否执行所述写入操作。

3.如权利要求2所述的非易失性存储装置，其中，通过使用初始电阻值、在测量所述初始电阻值时的初始时间、预设测量时间以及相变材料的常量来计算所述计算的参考电阻值。

4.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，所述初始电阻值包括在所述写入操作验证之后测量的电阻值。

5.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，在所述计算的参考电阻值比所述测量的电阻值大时，所述写入操作控制器被配置成终止所述写入操作。

6.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，在所述计算的参考电阻值比所述测量的电阻值小时，所述写入操作控制器被配置成再次执行所述写入操作。

7.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述写入操作控制器测量相变随机存取存储器单元的电阻值。

8.一种非易失性存储装置，包括：

存储器单元阵列；

写入操作验证读取器，所述写入操作验证读取器被配置成验证提供给所述写入操作控制器的输入数据是否等于写入所述存储器单元阵列中的单元数据；以及

写入操作控制器，所述写入操作控制器被配置成通过比较由所述写入操作验证读取器读取的数据与所述输入数据来验证写入操作，计算与第一时间相对应的第一参考电阻值，比较所述第一参考电阻值与第一测量的电阻值，以及根据所述第一测量的电阻值来判断是否再次执行所述写入操作。

9.如权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，通过使用初始电阻值、在测量所述初始电阻值时的初始时间、第一测量时间以及相变材料的常量来计算所述第一参考电阻值。

10.如权利要求9所述的非易失性存储装置，其中，所述初始电阻值包括在所述写入操作验证之后测量的电阻值。

11.如权利要求9所述的非易失性存储装置，其中，当所述第一参考电阻值比所述第一测量的电阻值大时，所述写入操作控制器被配置成终止所述写入操作。

12.如权利要求9所述的非易失性存储装置，其中，当所述第一参考电阻值比所述第一测量的电阻值小时，所述写入操作控制器被配置成执行基于第二参考电阻值的第二比较。

13.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述写入操作控制器测量相变随机存取存储器单元的电阻值。

14.如权利要12所述的非易失性存储装置，其中，在执行所述第二比较时，所述写入操作控制器被配置成计算与第二时间相对应的所述第二参考电阻值，比较所述第二参考电阻值与第二测量的电阻值，以及根据所述第二测量的电阻值来判断是否再次执行所述写入操作。

15.一种非易失性存储装置的写入控制方法，包括以下步骤：

在将数据输入所述非易失性存储装置时，将数据写入到存储器单元阵列中；

判断所述写入操作是否正常执行；

在所述写入操作正常执行时，对第一时间计数并计算与所述第一时间相对应的第一参考电阻值；以及

当所述计数达到所述第一时间时，比较所述第一参考电阻值与在所述第一时间处测量的第一测量的电阻值，并判断是否再次执行所述写入操作。

16.如权利要求15所述的写入控制方法，其中，在判断所述写入操作是否正常执行的步骤中：

在输入到所述非易失性存储装置的数据与通过读取写入到所述存储器单元阵列中的数据所获得的数据相等时，所述非易失性存储装置确定所述写入操作正常执行。

17.如权利要求16所述写入控制方法，其中，在计算与所述第一时间相对应的所述第一参考电阻值的步骤中：

使用初始电阻值、在测量所述初始电阻值时的初始时间、第一测量时间以及相变材料的常量来计算所述电阻值。