[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

申请号：	201210246436.X	申请日：	2012-07-16
公开（公告）号：	CN103545366A	公开（公告）日：	2014-01-29
发明（设计）人：	秦长亮;洪培真;殷华湘	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
代理公司：	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345	代理人：	陈红
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙、栅极侧墙两侧衬底中的应力源漏区、应力源漏区之间的沟道区，其特征在于：应力源漏区靠近沟道区的侧壁为C型。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，C型侧壁是部分的曲面，曲面为圆面、椭圆面、双曲面、鞍面及其组合。

3.如权利要求2的半导体器件，其中，C型侧壁为1/4以上曲面。

4.如权利要求1的半导体器件，其中，栅极堆叠结构包括栅极绝缘层和栅极导电层。

5.如权利要求4的半导体器件，其中，栅极绝缘层是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、高k材料及其组合，其中高k材料可以选自以下材料之一或其组合构成的复合一层或多层：Al₂O₃，HfO₂，包括HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、HfTaO_x、HfLaO_x、HfAlSiO_x、或HfLaSiO_x至少之一在内的铪基高K介质材料，包括ZrO₂、La₂O₃、LaAlO₃、TiO₂、或Y₂O₃至少之一在内的稀土基高K介质材料；栅极导电层是多晶硅、非晶硅、金属、金属氮化物及其组合，金属是Al、Cu、Ti、Ta、Mo、W，金属氮化物是TiN、TaN。

6.如权利要求1的半导体器件，其中，应力源漏区包括SiGe和/或SiC。

7.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成栅极堆叠结构；

刻蚀栅极堆叠结构两侧的衬底，形成源漏凹槽，其中源漏凹槽靠近栅极堆叠结构中心一侧的侧壁为C型；

在源漏凹槽中选择性外延生长，形成应力源漏区。

8.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，C型侧壁是部分的曲面，曲面为圆面、椭圆面、双曲面、鞍面及其组合。

9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，C型侧壁为1/4以上曲面。

10.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，栅极堆叠结构包括栅极绝缘层和栅极导电层。

11.如权利要求10的半导体器件制造方法，其中，栅极绝缘层是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、高k材料及其组合，其中高k材料可以选自以下材料之一或其组合构成的复合一层或多层：Al₂O₃，HfO₂，包括HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、HfTaO_x、HfLaO_x、HfAlSiO_x、或HfLaSiO_x至少之一在内的铪基高K介质材料，包括ZrO₂、La₂O₃、LaAlO₃、TiO₂、或Y₂O₃至少之一在内的稀土基高K介质材料；栅极导电层是多晶硅、非晶硅、金属、金属氮化物及其组合，金属是AI、Cu、Ti、Ta、Mo、W，金属氮化物是TiN、TaN。