[发明专利]一种热插拔单板及功率测量的方法

权利要求书

1.一种热插拔单板，其特征在于，所述热插拔单板包括恒流负载、缓启动芯片、金属氧化物半导体MOS场效应晶体管、外加电阻和开关，其中：

MOS场效应晶体管的栅级与缓启动芯片连接；

串联的外加电阻和开关构成至少一条并联支路，每条并联支路的两端分别与MOS场效应晶体管的漏极和源极连接；

恒流负载的一端连接所述并联支路与漏极的公共端，另一端接地；

所述并联支路与源极的公共端连接输入电源端口。

2.如权利要求1所述的热插拔单板，其特征在于，所述外加电阻数量为一个，所述开关数量为一个；串联的一个外加电阻与一个开关构成一条并联支路，该并联支路的两端分别与MOS场效应晶体管的漏极和源极连接。

3.如权利要求1所述的热插拔单板，其特征在于，所述外加电阻数量为多个，所述开关数量为一个；所述外加电阻并联或串联后，与一个开关串联，构成一条并联支路，该并联支路的两端分别与MOS场效应晶体管的漏极和源极连接。

4.如权利要求1所述的热插拔单板，其特征在于，所述并联支路为多条，一个外加电阻与一个开关串联构成一条并联支路，每条并联支路的两端分别与MOS场效应晶体管的漏极和源极连接。

5.一种对如权利要求1~4任一所述的热插拔单板进行功率测量的方法，其特征在于，所述方法包括：

在热插拔单板进入正常工作状态之后，打开所述开关，测量MOS场效应晶体管漏极第一电压值和源极第一电压值，以及，在打开所述开关之后的设定时长内，闭合所述开关，测量MOS场效应晶体管漏极第二电压值和源极第二电压值；在测量出MOS场效应晶体管漏极第二电压值和源极第二电压值之后的指定时长内，若所述开关处于打开状态，根据MOS场效应晶体管的等效电阻的电阻值、漏极第一电压值和源极第一电压值确定所述热插拔单板当前时刻的功率，若所述开关处于闭合状态，根据所述等效电阻的电阻值、所述并联支路上电阻的电阻值、漏极第二电压值和源极第二电压值确定所述热插拔单板当前时刻的功率；

或者，在热插拔单板进入正常工作状态之后，闭合所述开关，测量MOS场效应晶体管漏极第二电压值和源极第二电压值，以及，在闭合所述开关之后的设定时长内，打开所述开关，测量MOS场效应晶体管漏极第一电压值和源极第一电压值；在测量出MOS场效应晶体管漏极第一电压值和源极第一电压值之后的指定时长内，若所述开关处于打开状态，根据MOS场效应晶体管的等效电阻的电阻值、漏极第一电压值和源极第一电压值确定所述热插拔单板当前时刻的功率，若所述开关处于闭合状态，根据所述等效电阻的电阻值、所述并联支路上电阻的电阻值、漏极第二电压值和源极第二电压值确定所述热插拔单板当前时刻的功率；

其中，所述等效电阻的电阻值是根据并联支路上电阻的电阻值、漏极第一电压值、源极第一电压值、漏极第二电压值以及源极第二电压值确定的，所述并联支路上电阻的电阻值为外加电阻的电阻值与开关闭合时产生的电阻的电阻值之和，或者为外加电阻的电阻值。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在热插拔单板上电启动之后，热插拔单板进入正常工作状态之前，保持所述开关打开。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，打开所述开关，测量MOS场效应晶体管漏极第一电压值和源极第一电压值，具体包括：触发所述开关打开，并启动与MOS场效应晶体管的漏极和源极分别连接的模拟数字AD转换器，测量MOS场效应晶体管漏极第一电压值和源极第一电压值；

闭合所述开关，测量MOS场效应晶体管漏极第二电压值和源极第二电压值，具体包括：触发所述开关关闭，并启动与MOS场效应晶体管的漏极和源极分别连接的模拟数字AD转换器，测量MOS场效应晶体管漏极第二电压值和源极第二电压值。