[发明专利]用于建模硅通孔的系统和方法有效
| 申请号: | 201210244555.1 | 申请日: | 2012-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN103310031B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
| 发明(设计)人: | 颜孝璁;林佑霖;郭晋玮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 建模 硅通孔 系统 方法 | ||
1.一种计算机实现的系统,包括:
处理器,被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试所述电路中的至少一个确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应;
中介层模型,有形地包括在将被所述处理器访问的非暂时性机器可读存储介质中,所述中介层模型由所述计算机处理以输出表示衬底通孔(TSV)对所述射频(RF)信号响应的数据,所述中介层模型包括多个TSV模型,每个TSV模型都具有各自的三端口网络,每个三端口网络中的一个端口是浮置节点,各三端口网络的所述浮置节点相互连接。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,每个三端口网络都包括:
连接至所述浮置节点的电容部件;以及
连接至所述电容部件的第一电感部件和第二电感部件。
3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述电容部件包括表示TSV内衬层的电容的固定电容部件以及表示所述中介层的电容和所述中介层的电阻的可变输入部件。
4.根据权利要求3所述的系统,其中,所述TSV模型是可调的,以通过调节表示所述中介层的电容和电阻的所述输入部件来表示相邻TSV之间的不同间距。
5.一种计算机实现的方法,包括:
访问存储在有形、非暂时性机器可读存储介质中的中介层模型,所述中介层模型包括多个衬底通孔(TSV)模型,每个TSV模型都具有各自的三端口网络,每个三端口网络中的一个端口是浮置节点,各三端口网络的所述浮置节点相互连接;
在计算机处理器中处理所述中介层模型,其中,所述计算机处理器被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试所述电路中的至少一个确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应;以及
从所述计算机处理器输出表示TSV对所述射频(RF)信号响应的数据。
6.根据权利要求5所述的方法,进一步包括:
基于输出数据提供中介层布局配置;以及
形成用于制造具有所述中介层布局配置的中介层的一组光掩模。
7.根据权利要求5所述的方法,进一步包括:
基于输出数据提供中介层布局配置;以及
制造包括所述中介层布局配置的2.5D IC或者3D IC。
8.根据权利要求5所述的方法,其中,每个三端口网络都包括:
连接至所述浮置节点的电容部件;以及
连接至所述电容部件的第一电感部件和第二电感部件。
9.一种被编码有数据的永久有形机器可读存储介质,包括:
所述数据表示中介层模型,所述中介层模型由计算机访问并处理以输出表示衬底通孔(TSV)对射频(RF)信号响应的数据,
所述中介层模型包括多个TSV模型,每个TSV模型都具有表示各自的三端口网络的数据,每个三端口网络中的一个端口是浮置节点,各三端口网络的所述浮置节点相互连接;
所述中介层模型可被处理器访问,所述处理器被编程来分析包括至少一个TSV的电路,从而为设计、制造以及测试所述电路中的至少一个确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应。
10.根据权利要求9所述的机器可读存储介质,其中,每个三端口网络都包括:
连接至所述浮置节点的电容部件,所述电容部件包括:
表示TSV内衬层的电容的固定电容部件;和
表示所述中介层的电容和所述中介层的电阻的可变输入部件;以及
连接至所述电容部件的第一电感部件和第二电感部件,每个电感部件都包括:
相互并联连接的第一电感器和第二电感器;和
与所述第一电感器和所述第二电感器串联的第三电感器,所述第三电感器的电感与所述第一电感器和所述第二电感器中至少一个的电感不同。
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