[发明专利]用于建模硅通孔的系统和方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于集成电路的建模和用于集成电路的仿真设备。

背景技术

集成(“IC”)电路成为许多电子器件的一部分。IC封装技术的发展使得多个IC可被垂直堆叠在所谓的三维(“3D”)封装件中以便节省印刷电路板(“PCB”)上的水平面积。一种被称为2.5D封装的可选封装技术可使用中介层，所述中介层可由用于将一种或者多种管芯连接到PCB的半导体材料(例如，硅)形成。可以是各种不同技术的多种IC芯片安装在中介层上。各种IC中的连接通过中介层中的导电图案布线。由于半导体衬底的电阻和电容(“RC”)，中介层影响接合至中介层或者以其他方式连接至中介层的IC的工作特性。

就基于硅的管芯来说，2.5D和3D IC封装件包括衬底通孔(TSV)的使用，也称为硅通孔。TSV增加了半导体制造和封装的复杂性。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种计算机实现的系统，包括：

处理器，被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试所述电路中的至少一个确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应；

中介层模型，有形地包括在将被所述处理器访问的非暂时性机器可读存储介质中，所述中介层模型由所述计算机处理以输出表示衬底通孔(TSV)对所述射频(RF)信号响应的数据，所述中介层模型包括多个TSV模型，每个TSV模型都具有各自的三端口网络，每个三端口网络中的一个端口是浮置节点，各三端口网络的所述浮置节点相互连接。

在可选实施例中，每个三端口网络都包括：连接至所述浮置节点的电容部件；以及连接至所述电容部件的第一电感部件和第二电感部件。

在可选实施例中，所述电容部件包括表示TSV内衬层的电容的固定电容部件以及表示所述中介层的电容和所述中介层的电阻的可变输入部件。

在可选实施例中，所述TSV模型是可调的，以通过调节表示所述中介层的电容和电阻的所述输入部件来表示相邻TSV之间的不同间距。

在可选实施例中，所述第一电感部件和所述第二电感部件中的每一个都包括具有不同电感的至少两个电感器。

在可选实施例中，所述至少两个电感器相互并联连接。

在可选实施例中，所述至少两个电感器相互串联连接。

在可选实施例中，所述至少两个电感器包括：相互并联连接的第一电感器和第二电感器；以及与所述第一电感器和所述第二电感器串联的第三电感器，所述第三电感器的电感与所述第一电感器和所述第二电感器中至少一个的电感不同。

在可选实施例中，所述电容部件包括表示TSV内衬层的电容的固定电容部件，所述固定电容部件与表示所述中介层的电容和所述中介层的电阻的可变输入部件串联。

在可选实施例中，所述第一电感部件的第一电感器和第二电感器表示位于所述中介层的第一侧的电路元件的电感；所述第二电感部件的第一电感器和第二电感器表示位于所述中介层的与所述第一侧相对的第二侧的电路元件的电感；以及所述第三电感器表示所述TSV的自感。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种计算机实现的方法，包括：

访问存储在有形、非暂时性机器可读存储介质中的中介层模型，所述中介层模型包括多个衬底通孔(TSV)模型，每个TSV模型都具有各自的三端口网络，每个三端口网络中的一个端口是浮置节点，各三端口网络的所述浮置节点相互连接；

在计算机处理器中处理所述中介层模型，其中，所述计算机处理器被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试所述电路中的至少一个确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应；以及

从所述计算机处理器输出表示TSV对所述射频(RF)信号响应的数据。

在可选实施例中，所述的方法进一步包括：基于输出数据提供中介层布局配置；以及形成用于制造具有所述中介层布局配置的中介层的一组光掩模。

在可选实施例中，所述方法进一步包括：基于输出数据提供中介层布局配置；以及制造包括所述中介层布局配置的2.5D IC或者3D IC。

在可选实施例中，每个三端口网络都包括：连接至所述浮置节点的电容部件；以及连接至所述电容部件的第一电感部件和第二电感部件。

在可选实施例中，所述电容部件包括表示TSV内衬层的电容的固定电容部件以及表示所述中介层的电容和所述中介层的电阻的可变输入部件，并且所述TSV模型是可调的以通过调节表示所述中介层的电容和电阻的所述输入部件来表示相邻TSV之间的不同间距。