[发明专利]集成电路芯片封装件和应用之玻璃倒装基板结构

权利要求书

1.一种集成电路芯片封装件，包括：

集成电路芯片(IC chip)，具有一芯片电路面；和

多个铜凸块，其底面设置于该芯片电路面上。

2.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，还包括一非导电胶(nonconductive film，NCF)，形成于该芯片电路面上并覆盖该些铜凸块，且该非导电胶具有光穿透性。

3.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中覆盖该些铜凸块的该非导电胶具有一平坦表面，且该平坦表面至该些铜凸块的顶面呈一距离。

4.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶为一透明非导电胶。

5.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶包括高分子树脂(Base Resin)，其管芯尺寸在0.05nm~500nm之间。

6.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶包括弱酸或弱碱物质，酸碱值pH为4~6.5之间或7.5~10之间。

7.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶包括氢氧离子根(OH-)，含量为20ppm~5%。

8.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶包括氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钙(Ca(OH)₂)。

9.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶的一卤素离子含量为20ppm以下。

10.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶的一卤素离子含量为2ppm以下。

11.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶的粘度系数在-0.3KPa·S/℃至-8KPa·S/℃之间。

12.如权利要求2所述的集成电路芯片封装件，其中该非导电胶的粘度系数在-4KPa·S/℃至-5KPa·S/℃之间。

13.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块的硬度在80HV以上。

14.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块的一表面粗糙度在0.05μm~2μm之间。

15.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块的一表面粗糙度在0.8μm~1.2μm之间。

16.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块为合金或分层结构，该些铜凸块的铜金属成分占总成分的30％重量百分比～100％重量百分比。

17.如权利要求16所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块为铜镍金的分层结构。

18.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块的铜金属成分占总成分的90％重量百分比以上。

19.如权利要求1所述的集成电路芯片封装件，其中该些铜凸块为99％重量百分比以上的纯铜。

20.一种玻璃倒装基板结构，包括：

权利要求1的集成电路芯片封装件；

玻璃基板；

多个铝电极，形成于该玻璃基板上；以及

导电胶，形成于该玻璃基板并覆盖该些铝电极，该导电胶包括多个导电粒子，其中

该集成电路芯片封装件中的该些铜凸块的顶面通过部分该些导电粒子与对应的该些铝电极电连接。

21.如权利要求20所述的玻璃倒装基板结构，其中该导电胶为一单层导电胶材。

22.如权利要求20所述的玻璃倒装基板结构，其中该导电胶为一各向异性导电胶(ACF)，其包括非导电层与导电层的一复合叠层。

23.如权利要求20所述的玻璃倒装基板结构，其中该集成电路芯片封装件还包括非导电胶(nonconductive film，NCF)，形成于该芯片电路面上并覆盖该些铜凸块，该导电胶的该些导电粒子穿破该非导电胶的表面，以电连接该些铜凸块与该些铝电极。

24.如权利要求23所述的玻璃倒装基板结构，其中电连接该些铜凸块与该些铝电极的该些导电粒子的数目约为2~200颗。