[发明专利]一种低介电材料的表面改性工艺无效
| 申请号： | 201210237331.8 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102718226A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 唐建新;朱钧钧;李艳青 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B33/159 | 分类号： | C01B33/159 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 材料 表面 改性 工艺 | ||
1.一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于，包括步骤：
以酸性水解和碱性缩聚两步法制备硅酸盐溶胶；
在衬底表面旋涂所述硅酸盐溶胶，形成带孔的湿凝胶薄膜，并进行老化处理；
使用正己烷置换所述湿凝胶薄膜孔中的乙醇流体；
以溶有三甲基氯硅烷的正己烷对湿凝胶薄膜进行表面改性处理；
对表面改性之后的胶体进行干燥，并在大气环境中进行热处理，得到低介电的SiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述硅酸盐溶胶的酸性水解是指将正硅酸乙酯、乙醇、水和盐酸混合后进行搅拌，以形成标准溶液，其中盐酸的比例和搅拌时间视正硅酸乙酯的水解速度和程度而定。
3.根据权利要求2所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述的硅酸盐溶胶的碱性缩聚是指在所述标准溶液中加入氨水和乙醇并进行搅拌，使水解后的正硅酸乙酯开始缩聚，形成聚合产物即硅酸盐溶胶。
4.根据权利要求3所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述的搅拌以使硅酸盐溶胶的粘度系数达8cP-14cP为止。
5.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述的旋涂是指，以1000-6000rpm的速度旋转5-60秒。
6.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述的旋涂和老化处理需要在充满乙醇的气氛中进行。
7.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述湿凝胶薄膜的厚度为400nm至600nm。
8.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述溶有三甲基氯硅烷的正己烷中，所述三甲基氯硅烷的体积分数为6%。
9.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：对胶体的干燥是指，胶体在60℃的温度下进行干燥除溶剂处理。
10.根据权利要求1所述的一种低介电材料的表面改性工艺，其特征在于：所述热处理是指，将胶体以1℃/min的速度升温至200℃-500℃，保持2小时，并以2℃/min的速度冷却。
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