[发明专利]带有绝缘埋层衬底的制备方法有效
申请号: | 201210233324.0 | 申请日: | 2012-07-06 |
公开(公告)号: | CN102768981A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 魏星;王文宇;曹共柏 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 绝缘 衬底 制备 方法 | ||
1.一种带有绝缘埋层衬底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供具有相同材料的支撑衬底和器件衬底;
采用单面抛光工艺抛光支撑衬底的表面;
在支撑衬底的抛光后表面和/或器件衬底的一表面形成绝缘层;
以绝缘层为中间层将支撑衬底和器件衬底键合在一起;
研磨减薄器件衬底;
采用单面抛光工艺抛光器件衬底的被研磨表面,所采用的工艺参数与抛光支撑衬底表面相同。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在单面抛光支撑衬底之前,还包括对支撑衬底实施双面抛光的步骤;在研磨减薄器件衬底的步骤和单面抛光器件衬底的步骤之间,还进一步包括对支撑衬底实施双面抛光的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述两次双面抛光步骤亦采用相同的工艺参数。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在键合步骤与研磨减薄步骤之间,进一步包括对键合后的器件衬底进行倒角处理的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述支撑衬底和器件衬底的材料均为单晶硅。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述绝缘层的材料选自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造