[发明专利]半导体存储器元件及包含此元件的并列调整装置

权利要求书

1.一种半导体存储器元件，包含：

一第一电压转电流电路，包含一参考晶胞，其用以转换一偏压电压至一参考电流；

一第一电阻，耦接至该第一电压转电流电路以根据该参考电流产生一参考电压；

一第二电压转电流电路，用以转换一控制电压至一第一电流和一第二电流，其中该第一电流的电流值大于该第二电流的电流值；

一第二电阻，耦接至该第二电压转电流电路以根据该第一电流产生一第一电压；

一第三电阻，耦接至该第二电压转电流电路以根据该第二电流产生一第二电压；

一第一比较器，用以比较该参考电压和该第一电压以产生一第一比较信号；

一第二比较器，用以比较该参考电压和该第二电压以产生一第二比较信号；以及

一调整电路，用以根据该第一比较信号和该第二比较信号以调整该参考晶胞；

其中，该第二电阻的阻值和该第三电阻的阻值实质上相同；以及

其中，一高准确度电阻设置于该半导体存储器元件的外部，且该第二电压转电流电路根据该控制电压和该高准确度电阻的阻值产生该第一电流和该第二电流。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中该第一电阻、该第二电阻和该第三电阻具有相同的布局图样，且该第一电阻、该第二电阻和该第三电阻会毗连设置且沿相同的坐标轴对称地设置。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中如果该参考电压的电压值大于该第一电压的电压值，该调整电路会在该参考晶胞上重复执行编程和验证步骤直至该参考电压的电压值小于该第一电压的电压值为止，且如果该参考电压的电压值小于该第二电压的电压值，该调整电路会在该参考晶胞上重复执行抹除和验证步骤直至该参考电压的电压值大于该第二电压的电压值为止。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，还包含：

一第四电阻，耦接至该第二电压转电流电路以根据一第三电流产生一第三电压；

一第五电阻，耦接至该第二电压转电流电路以根据一第四电流产生一第四电压；

一第三比较器，用以比较该参考电压和该第三电压以产生一第三比较信号；

一第四比较器，用以比较该参考电压和该第四电压以产生一第四比较信号；

其中，该第二电压转电流电路根据该控制电压产生该第三电流和该第四电流，该第三电流的电流值大于该第一电流的电流值，且该第四电流的电流值小于该第二电流的电流值；

其中，该第二电阻的阻值、该第四电阻的阻值和该第五电阻的阻值实质上相同；及

其中，如果该参考电压的电压值大于该第三电压的电压值，该调整电路会以一第一设定编程强度编程该参考晶胞，如果该参考电压的电压值介于该第一电压和该第三电压的电压值之间，该调整电路会以一第二设定编程强度编程该参考晶胞，如果该参考电压的电压值小于该第四电压的电压值，该调整电路会以一第一设定抹除强度抹除该参考晶胞，如果该参考电压的电压值介于该第二电压和该第四电压的电压值之间，该调整电路会以一第二设定抹除强度抹除该参考晶胞，其中该第一设定编程强度大于该第二设定编程强度，且该第一设定抹除强度大于该第二设定抹除强度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器元件，其中为了确认该参考晶胞是否已调整至一抹除状态，大于在抹除状态下的一参考晶胞的一临界电压电压值的该偏压电压会施加至该参考晶胞的一栅极，且小于在抹除状态下的该参考晶胞的该临界电压电压值的该控制电压会施加至该第二电压转电流电路；为了确认该参考晶胞是否已调整至一读取状态，大于在读取状态下的一参考晶胞的一临界电压电压值的该偏压电压会施加至该参考晶胞的该栅极，且小于在读取状态下的该参考晶胞的该临界电压电压值的该控制电压会施加至该第二电压转电流电路；为了确认该参考晶胞是否已调整至一编程状态，大于在编程状态下的一参考晶胞的一临界电压电压值的该偏压电压会施加至该参考晶胞的该栅极，且小于在编程状态下的该参考晶胞的该临界电压电压值的该控制电压会施加至该第二电压转电流电路。