[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供基板，所述基板上设置有若干电极，所述基板上开设有若干交叉连通的第一浇槽，所述第一浇槽分别环绕所述电极设置；

设置发光二极管芯片，将所述发光二极管芯片设置于基板上并与电极电连接；

提供封装层，所述封装层为胶状结构，所述封装层对应基板的第一浇槽开设若干交叉连通的第二浇槽；

将基板倒置压合到封装层上，所述发光二极管芯片嵌入到封装层内，所述基板的第一浇槽和封装层的第二浇槽相对接并共同围设出内部交叉连通的闭合浇道；

设置注孔并成型反光杯元件，所述注孔将浇道与外部连通，通过注孔向浇道内注入熔融模料以成型反光杯元件；及

固化封装层。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一浇槽将基板分隔成环绕基板周缘设置的凸缘和围设于所述凸缘内侧的若干相对独立设置的凸出部。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述电极成对设置于基板的凸出部上，所述电极间隔设置且彼此电性隔绝。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：将基板倒置压合到封装层上步骤之前，还包括将封装层设置于一载板上，在固化封装层之后再将所述载板与封装层脱离的步骤。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第二浇槽贯穿封装层的上下表面，所述第二浇槽的底部位于载板表面。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第二浇槽的底部位于封装层中。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第二浇槽将封装层分隔成环绕封装层周缘设置的凸缘和围设于所述凸缘内侧的若干相对独立设置的凸出部。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述注孔开设于基板上。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述注孔位于基板的第一浇槽的底部并贯穿基板的上下表面。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一浇槽以及与所述第一浇槽对应设置的第二浇槽的开口尺寸大小一致。