[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210229366.7 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN103165641A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 柳春基;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本申请要求于2011年12月16日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0136569号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用完全包含于此。
技术领域
示例实施例涉及一种具有可容易防止产生短路的改进的布线结构的有机发光显示装置以及一种制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
通常,有机发光显示装置包括薄膜晶体管(TFT)、由TFT驱动并形成图像的电致发光(EL)器件等。换言之,如果通过TFT将电流提供给EL器件,则在EL器件中发生光发射,从而形成图像。同时,在有机发光显示装置中,连接到TFT的各种线(即,布线)形成在多个层中。例如,电源电压供应线(即,ELVdd线)可连接到TFT。
发明内容
示例实施例提供了一种具有可容易防止产生短路的改进的结构的有机发光显示装置以及一种制造该有机发光显示装置的方法。
根据示例实施例,提供了一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:薄膜晶体管,位于基底上;第一布线和第二布线,相互叠置,第一布线和第二布线相对于基底位于不同的高度,并连接到薄膜晶体管;多个绝缘层,位于第一布线和第二布线之间。
第一布线可以是全局控制线,第二布线可以是电源电压供应线。
全局控制线与薄膜晶体管的有源层可处于同一水平高度的层。
全局控制线可由多晶硅形成。
全局控制线和薄膜晶体管的有源层可具有基本相同的厚度并包括基本相同的材料。
电源电压供应线的顶表面可与薄膜晶体管的源极和漏极的顶表面基本位于同一水平面。
第一布线的底表面和第二布线的顶表面之间的距离可等于薄膜晶体管的有源层的底表面和薄膜晶体管的漏极的顶表面之间的距离。
薄膜晶体管可在水平方向上与第一布线和第二布线中的每个分隔开。
所述多个绝缘层可直接相互堆叠在第一布线和第二布线之间。
所述多个绝缘层沿垂直方向的总厚度可等于薄膜晶体管的有源层的顶表面和薄膜晶体管的漏极的水平部分的底表面之间的距离。
根据示例实施例,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:在基底上形成连接到像素的薄膜晶体管的第一布线;在第一布线上形成多个绝缘层;在所述多个绝缘层上形成第二布线,第二布线与第一布线叠置并连接到薄膜晶体管。
形成第一布线和第二布线的步骤可包括分别形成全局控制线和电源电压供应线。
形成全局控制线的步骤可包括在与薄膜晶体管的有源层处于同一水平的层处形成全局控制线。
全局控制线和有源层可由多晶硅形成。
附图说明
通过参照附图详细描述示例实施例的示例性实施例,示例实施例的以上和其它特征和优点将变得更加清楚,在附图中:
图1是有机发光显示装置中的像素的电路图;
图2是有机发光显示装置的示意性平面图;
图3是根据实施例的有机发光显示装置的剖视图;
图4A至图4E是根据实施例的制造有机发光显示装置的方法中多个阶段的剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述示例实施例的示例性实施例。贯穿说明书,相同的标号表示相同的元件。在描述中,会省略对公知功能和结构的详细描述,从而不妨碍对示例实施例的理解。
图1是有机发光显示装置的像素的电路图。图2是有机发光显示装置的示意性平面图。
参照图1,每个像素包括:第一薄膜晶体管TR1,为用于开关的薄膜晶体管;第二薄膜晶体管TR2,为用于驱动的薄膜晶体管;第三薄膜晶体管TR3,为用于补偿信号的薄膜晶体管;电容器Cst和Cvth,为存储元件;电致发光(EL)器件(例如,二极管)EL,由第一薄膜晶体管TR1至第三薄膜晶体管TR3驱动。这里,第一薄膜晶体管TR1至第三薄膜晶体管TR3的数量以及电容器Cst和Cvth的数量不限于此,并且可设置更多的薄膜晶体管和电容器。
在下文中,将描述薄膜晶体管的功能。首先,根据施加到扫描线S的扫描信号驱动第一薄膜晶体管TR1,并且第一薄膜晶体管TR1传输施加到数据线D的数据信号。
第二薄膜晶体管TR2根据经第一薄膜晶体管TR1传输的数据信号来确定经电源电压供给线Vdd提供至电致发光器件EL的电流的量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的