[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210229366.7 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN103165641A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 柳春基;崔埈厚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
薄膜晶体管,位于基底上;
第一布线和第二布线,相互叠置,第一布线和第二布线相对于基底位于不同的高度,并连接到薄膜晶体管;
多个绝缘层,位于第一布线和第二布线之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一布线是全局控制线,第二布线是电源电压供应线。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,全局控制线与薄膜晶体管的有源层处于同一水平位置的层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,全局控制线由多晶硅形成。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,全局控制线和薄膜晶体管的有源层具有相同的厚度并包括相同的材料。
6.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,电源电压供应线的顶表面与薄膜晶体管的源极和漏极的顶表面位于同一水平面。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一布线的底表面和第二布线的顶表面之间的距离等于薄膜晶体管的有源层的底表面和薄膜晶体管的漏极的顶表面之间的距离。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,薄膜晶体管在水平方向上与第一布线和第二布线中的每个分隔开。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述多个绝缘层直接相互堆叠在第一布线和第二布线之间。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述多个绝缘层沿垂直方向的总厚度等于薄膜晶体管的有源层的顶表面和薄膜晶体管的漏极的水平部分的底表面之间的距离。
11.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:
在基底上形成连接到像素的薄膜晶体管的第一布线;
在第一布线上形成多个绝缘层;
在所述多个绝缘层上形成第二布线,第二布线与第一布线叠置并连接到薄膜晶体管。
12.根据权利要求11的方法,其中,形成第一布线的步骤包括形成全局控制线,形成第二布线的步骤包括形成电源电压供应线。
13.根据权利要求12的方法,其中,形成全局控制线的步骤包括在与薄膜晶体管的有源层处于同一水平的层处形成全局控制线。
14.根据权利要求13的方法,其中,全局控制线和有源层由多晶硅形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的