[发明专利]集成有肖特基二极管的功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率器件，包括：

半导体衬底；

功率晶体管，形成于所述半导体衬底中，其中所述功率晶体管包括漏区、源区、栅区以及耦接所述漏区的漏极金属；

沟槽阻隔体，形成于所述功率晶体管的漏区中，其中所述沟槽阻隔体包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽由所述漏区的一部分隔开；以及

肖特基二极管，形成于所述第一沟槽和第二沟槽之间，其中所述肖特基二极管具有阳极和阴极，所述的阳极包括所述漏极金属，所述阴极包括所述漏区的一部分。

2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽采用导电材料填充，所述导电材料通过介电材料与所述功率晶体管的漏区隔离。

3.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述漏极金属与所述第一沟槽和第二沟槽中填充的所述导电材料接触。

4.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于所述第一沟槽和第二沟槽的底部和侧壁覆盖有所述介电材料。

5.一种功率器件，包括：

半导体衬底，具有第一导电类型；

阱区，形成于所述半导体衬底中，并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

栅区，形成于所述阱区中，并且具有所述的第一导电类型；

第一沟槽和第二沟槽，形成于位于所述栅区一侧的所述阱区中，并且由所述阱区的一部分隔开；以及

漏极金属，与将所述第一沟槽和第二沟槽隔开的那部分阱区接触，形成金属半导体接触。

6.如权利要求5所述的功率器件，其特征在于所述第一沟槽和第二沟槽采用导电材料填充，所述导电材料通过介电材料与所述阱区隔离。

7.如权利要求6所述的功率器件，其特征在于所述漏极金属与所述第一沟槽和第二沟槽中填充的所述导电材料接触。

8.如权利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽均具有底部和侧壁，并且所述第一沟槽和第二沟槽的底部和侧壁覆盖有所述介电材料。

9.如权利要求5所述的功率器件，其特征在于所述阱区包括漏区和源区，其中，所述栅区位于所述漏区和所述源区之间。

10.如权利要求5所述的功率器件，其特征在于进一步包括：

栅欧姆接触区，形成于所述栅区中，并具有所述的第一导电类型；及

源欧姆接触区，形成于位于所述栅区另一侧的所述阱区中，并且具有所述的第二导电类型。

11.如权利要求10所述的功率器件，其特征在于所述沟槽阻隔体到所述栅区之间的距离大于所述栅区到所述源欧姆接触区之间的距离。

12.一种形成集成有功率晶体管和肖特基二极管的功率器件的方法，包括：

提供半导体衬底的步骤；

在所述半导体衬底中形成功率晶体管的步骤，其中形成所述功率晶体管的步骤包括在所述半导体衬底中形成漏区、栅区和源区的步骤；

在所述漏区中形成沟槽阻隔体的步骤，其中形成所述沟槽阻隔体的步骤包括在所述漏区中形成第一沟槽和第二沟槽的步骤，所述第一沟槽和第二沟槽由所述漏区的一部分隔开；以及

在所述漏区中形成肖特基二极管的步骤，其中形成所述肖特基二极管的步骤包括形成漏极金属的步骤，所述漏极金属与所述第一沟槽和第二沟槽隔之间的那部分漏区接触。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽均具有底部和侧壁，形成所述沟槽阻隔体的步骤进一步包括：

在所述第一沟槽和第二沟槽的底部和侧壁上形成覆盖所述底部和侧壁的介电材料层的步骤；以及

采用导电材料填充所述第一沟槽和第二沟槽的步骤。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述漏极金属的步骤进一步包括：在所述漏极金属与填充所述第一沟槽和第二沟槽的所述导电材料之间形成电气接触。