[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域和半导体衬底的其他区域之间具有浅沟槽隔离结构，所述半导体衬底表面具有掩膜层；

在所述掩膜层和浅沟槽隔离结构表面形成抗反射薄膜；

平坦化所述掩膜层表面的抗反射薄膜，在所述浅沟槽隔离结构表面形成抗反射层，所述抗反射层的表面不高于所述掩膜层顶部；

在形成所述抗反射层之后，去除所述掩膜层；

在去除所述掩膜层后，在所述半导体衬底和抗反射层表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光，暴露出所述第一区域表面。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的材料为氮氧化硅、氮化硅或碳氧化硅。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度为5~50纳米。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的折射率为1.5~2.5，光刻常数为0.3~2，所吸收的光波长为193~248纳米。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层和浅沟槽隔离结构的形成步骤为：采用沉积工艺在所述半导体衬底表面形成掩膜薄膜；刻蚀所述掩膜薄膜，暴露出需要形成浅沟槽隔离结构的半导体衬底表面，形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，形成开口；在所述开口内填充满绝缘材料，形成浅沟槽隔离结构。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成掩膜薄膜之前，在半导体衬底表面形成氧化衬垫层。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化衬垫层的形成工艺为化学气相沉积工艺，材料为氧化硅。

8.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化衬垫层在形成光刻胶层之前被去除。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射薄膜的厚度为50~200纳米。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅。

11.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射薄膜的形成工艺为化学气相沉工艺。

12.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述掩膜层表面的抗反射薄膜的工艺为化学机械抛光工艺。

13.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成光刻胶层之前，在所述半导体衬底表面形成保护层。

14.如权利要求13所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅，形成工艺为热氧化工艺。

15.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在对所述光刻胶层进行曝光后，对所述第一区域进行离子注入，形成阱区；在离子注入之后，去除所述光刻胶层和抗反射层。

16.如权利要求15所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除抗反射层的工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。

17.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的材料为氧化硅。