[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

封装胶体，其具有相对的第一表面与第二表面，且于该封装胶体的第一表面上形成有至少一开孔；

多个第一半导体组件，其相互堆栈且封埋于该封装胶体中；

导电层，其形成于该些第一半导体组件所堆栈成的结构表面，以电性导通各该第一半导体组件，且至少一该第一半导体组件上的部分导电层外露出该开孔；以及

第一线路层，其形成于该封装胶体的第一表面上，以经该开孔电性连接该导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该些第一半导体组件的堆栈方式为阶梯状堆栈。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体组件的表面上具有绝缘层，且该绝缘层露出该第一半导体组件的部分表面，令该导电层形成于该绝缘层上且电性连接该第一半导体组件的外露表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一半导体组件外露于该封装胶体的第二表面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括第二线路层，其设于该封装胶体的第二表面上，且电性连接该第一半导体组件。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括至少一第二半导体组件，其设于该第二线路层上，且电性连接该第二线路层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括至少一第二半导体组件，其嵌埋于该封装胶体的第二表面中。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该第二半导体组件电性连接该第一半导体组件。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该导电层还形成于该封装胶体的第二表面与该第二半导体组件的表面上，使该第二半导体组件电性连接该第一半导体组件。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括线路增层结构，其形成于该封装胶体的第二表面上，且电性连接该第一与第二半导体组件。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该线路增层结构具有至少一介电层及设于该介电层上的第二线路层，该第二线路层电性连接该第一与第二半导体组件。

12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括散热结构，其设于该线路增层结构上。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括散热结构，其设于该封装胶体的第二表面上。

14.一种半导体封装件的制法，其包括：

堆栈多个第一半导体组件于一承载板上；

于该些第一半导体组件所堆栈成的结构表面上形成导电层，以电性导通各该第一半导体组件；

形成封装胶体于该承载板上，以包覆各该第一半导体组件与导电层，且该封装胶体具有相对的第一表面与第二表面，该第二表面系结合至该承载板；

形成至少一开孔于该封装胶体的第一表面上，以令至少一该第一半导体组件上的部分导电层外露出该开孔；以及

形成第一线路层于该封装胶体的第一表面上，且该第一线路层经该开孔电性连接该导电层。

15.根据权利要求14所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该些第一半导体组件的堆栈方式为阶梯状堆栈。

16.根据权利要求14所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成该导电层之前，形成绝缘层于该些第一半导体组件的表面上，且该绝缘层露出该第一半导体组件的部分表面，令该导电层形成于该绝缘层上。

17.根据权利要求14所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括移除该承载板。

18.根据权利要求17所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成第二线路层于该封装胶体的第二表面上，且该第二线路层电性连接该第一半导体组件。

19.根据权利要求18所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括置放至少一第二半导体组件于该第二线路层上，且该第二半导体组件电性连接该第二线路层。