[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，更具体的说，涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Dsiplay，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对合形成的，其中阵列基板目前较主流是采用5次掩模（5mask）或4次掩模（4mask）工艺制造。每一道光罩掩模制造工艺中都需要经历清洗、干燥、成膜、光刻等几个步骤，因现在有技术中制程工艺中的流程较多，不可避免的存在着制程时间较长，良率较低、成本高等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺流程少、低成本、高良品率的阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种阵列基板的制作方法，包括步骤：

A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成扫描线和TFT的闸极；

B、在基材上依次铺设绝缘层、第二金属层和n+a-Si膜层，然后通过采用第二道掩膜制程，形成阵列基板的扫描线数据线、TFT的源极和漏极、及位于源极和漏极之间的导电沟道；

C、对第二道掩膜制程形成的光阻进行灰化处理，曝露出导电沟道两端的n+a-Si膜层，然后在阵列基板表面铺设一层a-Si膜层，形成的a-Si膜层跟导电沟道两端的n+a-Si膜层可靠电连接；

D、剥离光阻，将覆盖在光阻表面的a-Si材料一并去除，剩余的a-Si膜层形成非掺杂有源层；

E、采用第三道掩膜制程，保留非掺杂有源层覆盖部分的n+a-Si膜层，形成掺杂有源层，然后在TFT的漏极表面形成透明导电层。

优选的，所述步骤E中，以非掺杂有源层为掩体，蚀刻掉非掺杂有源层覆盖部分以外的n+a-Si膜层，形成掺杂有源层，然后再利用第三道掩膜制程在TFT表面形成透明导电层。此为一种掺杂有源层的具体制作工艺。

优选的，所述步骤E中，先采用掩膜制程在阵列基板表面形成透明导电层的图案，然后通过曝光、显影、蚀刻的方式去除非掺杂有源层覆盖部分以外的n+a-Si材料，保留的n+a-Si材料形成掺杂有源层；然后铺设一层透明导电胶体，剥离剩余的光刻胶及其表面覆盖的导电胶体，形成所述透明导电层。此为另一种掺杂有源层的具体制作工艺。

优选的，所述步骤E中，利用掩膜制程在TFT的源极和漏极表面同步形成透明导电层。源极上也铺设透明导电层，对源极来说可以起到保护作用，另外源极上的透明导电层可以跟漏极上的透明导电层同步形成，无须额外增加制程。

优选的，所述步骤A中，包括步骤：

A1、在基材上沉积第一金属层；

A2、在第一金属层上涂布第一道光刻胶，然后通过曝光、显影，做出阵列基板的扫描线和TFT的闸极的图案，即形成第一道光阻；

A3、对第一金属层进行蚀刻，然后剥离第一道光阻，形成阵列基板的扫描线和TFT的闸极；

所述步骤B包括：

B1、依次在基板上沉积绝缘层、第二金属层和n+a-Si膜层；

B2、在n+a-Si膜层上涂布第二道光刻胶，通过曝光、显影，形成第二道光阻，第二道光阻在闸极上方区域形成缺口，缺口分为底部的第一方形缺口，以及位于开口处的第二方形缺口；第二方形缺口宽度大于第一方形缺口的宽度；

B3、以第二道光阻为掩体，蚀刻掉第一方形缺口处的n+a-Si膜层材料；

B4、第一方形缺口处的n+a-Si膜层材料掉以后，继续蚀刻暴露出来的第二金属层，形成TFT的源极、漏极以及阵列基板的数据线；同时，切断的n+a-Si膜层和第二金属层之间也形成了跟第一方形缺口等宽的导电沟道；

所述步骤C包括：

C1、对第二道光阻进行灰化处理，使其厚度减薄，将第一方形缺口两端覆盖下的n+a-Si膜层暴露出来；

C2、在基材上沉积a-Si膜层，a-Si膜层覆盖暴露的n+a-Si膜层和导电沟道的表面；

所述步骤E包括：

E1、以非掺杂有源层为掩体，蚀刻掉非掺杂有源层覆盖区域以外的n+a-Si膜层材料，残留的n+a-Si膜层形成掺杂的有源层；

E2、采用第三道光刻胶，然后通过曝光、显影，在非掺杂有源层所在的区域形成第三道光阻；