[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括步骤：

A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成扫描线和TFT的闸极；

B、在基材上依次铺设绝缘层、第二金属层和n+a-Si膜层，然后通过采用第二道掩膜制程，形成阵列基板的扫描线数据线、TFT的源极和漏极、及位于源极和漏极之间的导电沟道；

C、对第二道掩膜制程形成的光阻进行灰化处理，曝露出导电沟道两端的n+a-Si膜层，然后在阵列基板表面铺设一层a-Si膜层，形成的a-Si膜层跟导电沟道两端的n+a-Si膜层可靠电连接；

D、剥离光阻，将覆盖在光阻表面的a-Si材料一并去除，剩余的a-Si膜层形成非掺杂有源层；

E、采用第三道掩膜制程，保留非掺杂有源层覆盖部分的n+a-Si膜层，形成掺杂有源层，然后在TFT的漏极表面形成透明导电层。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤E中，以非掺杂有源层为掩体，蚀刻掉非掺杂有源层覆盖部分以外的n+a-Si膜层，形成掺杂有源层，然后再利用第三道掩膜制程在TFT表面形成透明导电层。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤E中，先采用掩膜制程在阵列基板表面形成透明导电层的图案，然后通过曝光、显影、蚀刻的方式去除非掺杂有源层覆盖部分以外的n+a-Si材料，保留的n+a-Si材料形成掺杂有源层；然后铺设一层透明导电胶体，剥离剩余的光刻胶及其表面覆盖的导电胶体，形成所述透明导电层。

4.如权利要求1所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤A中，包括步骤：

A1、在基材上沉积第一金属层；

A2、在第一金属层上涂布第一道光刻胶，然后通过曝光、显影，做出阵列基板的扫描线和TFT的闸极的图案，即形成第一道光阻；

A3、对第一金属层进行蚀刻，然后剥离第一道光阻，形成阵列基板的扫描线和TFT的闸极；

所述步骤B包括：

B1、依次在基板上沉积绝缘层、第二金属层和n+a-Si膜层；

B2、在n+a-Si膜层上涂布第二道光刻胶，通过曝光、显影，形成第二道光阻，第二道光阻在闸极上方区域形成缺口，缺口分为底部的第一方形缺口，以及位于开口处的第二方形缺口；第二方形缺口宽度大于第一方形缺口的宽度；

B3、以第二道光阻为掩体，蚀刻掉第一方形缺口处的n+a-Si膜层材料；

B4、第一方形缺口处的n+a-Si膜层材料掉以后，继续蚀刻暴露出来的第二金属层，形成TFT的源极、漏极以及阵列基板的数据线；同时，切断的n+a-Si膜层和第二金属层之间也形成了跟第一方形缺口等宽的导电沟道；

所述步骤C包括：

C1、对第二道光阻进行灰化处理，使其厚度减薄，将第一方形缺口两端覆盖下的n+a-Si膜层暴露出来；

C2、在基材上沉积a-Si膜层，a-Si膜层覆盖暴露的n+a-Si膜层和导电沟道的表面；

所述步骤E包括：

E1、以非掺杂有源层为掩体，蚀刻掉非掺杂有源层覆盖区域以外的n+a-Si膜层材料，残留的n+a-Si膜层形成掺杂的有源层；

E2、采用第三道光刻胶，然后通过曝光、显影，在非掺杂有源层所在的区域形成第三道光阻；

E3、在基材上沉积透明导电层，透明导电层覆盖在TFT的源极和漏极表面；

E4、剥离第三道光阻，连同第三道光阻表面的透明导电层一并去除，形成TFT的像素电极。

5.如权利要求1～4任一所述的一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤E中，利用掩膜制程在TFT的源极和漏极表面同步形成透明导电层。

6.一种阵列基板，包括一种TFT结构，其特征在于，所述TFT结构从底部算起，依次包括闸极、绝缘层、金属层、掺杂有源层，所述闸极上方区域设有导电沟道，所述导电沟道切断所述掺杂有源层和金属层，切断的金属层分为源极和漏极，所述漏极表面覆盖有透明导电层，所述掺杂有源层表面及导电沟道内覆盖有非掺杂有源层。

7.如权利要求6所述的一种阵列基板，其特征在于，所述源极表面也覆盖有透明导电层。

8.如权利要求7所述的一种阵列基板，其特征在于，所述TFT结构关于导电沟道中心线轴对称。