[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、依次覆盖在所述衬底上的缓冲层、至少一个N型层、发光层、至少一个P型层和透明导电层，其特征在于，所述至少一个P型层中的一个P型层包括至少3个子P型层，各所述子P型层的厚度和掺杂浓度不同。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述至少一个P型层中的一个P型层包括3个子P型层，所述3个子P型层为第一子P型层、依次覆盖在所述第一子P型层上的第二子P型层和第三子P型层；

所述第一子P型层的厚度大于所述第二子P型层的厚度；所述第一子P型层和所述第三子P型层的掺杂浓度高于所述第二子P型层的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述第一子P型层的厚度为10nm～200nm，所述第二子P型层和所述第三子P型层的厚度均为3nm～200nm；所述第一子P型层、所述第二子P型层和所述第三子P型层的掺杂浓度分别为1×10²⁰/cm³～5×10¹⁷/cm³、0～5×10¹⁸/cm³和5×10¹⁸/cm³～5×10²⁰/cm³。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述至少一个P型层中的一个P型层为3～15个周期的超晶格结构；每个周期的所述超晶格结构包括第四子P型层和覆盖在所述第四子P型层上的第五子P型层；所述第四子P型层厚度和掺杂浓度均大于所述第五子P型层的厚度和掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述第四子P型层和所述第五子P型层的厚度分别为10nm～200nm和3nm～50nm；所述第四子P型层和所述第五子P型层的掺杂浓度分别为5×10¹⁷/cm³～5×10²⁰/cm³和0～5×10¹⁸/cm³。

6.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型层为5个周期的所述超晶格结构。

7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各所述子P型层由Al_xIn_yGa_1-x-yN制成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1，x+y＜1。

8.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型层有4层，且每层的浓度和/或组分不同。

9.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型层有3层，每层的浓度和/或组分不同；且其中一个所述P型层包括所述至少3个子P型层。

10.一种发光二极管外延片的制造方法，所述方法包括提供衬底并在所述衬底上依次生长缓冲层、至少一个N型层、发光层、至少一个P型层和透明导电层，其特征在于，生长所述至少一个P型层中的一个P型层包括：

以第一预定掺杂浓度沉积，使所述P型层生长至第一厚度；

以第二预定掺杂浓度沉积，使所述P型层生长至第二厚度；

以第三预定掺杂浓度沉积，使所述P型层生长至第三厚度；

其中，所述第一预定掺杂浓度、所述第二预定掺杂浓度和所述第三预定掺杂浓度各不相同；所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度各不相同。