[发明专利]一种数据存储器及其读取控制方法

权利要求书

1.一种数据存储器，包括存储单元和灵敏放大器，其特征在于，所述存储器还包括截断管和截止信号产生电路，在存储单元与灵敏放大器相连的两根位线上设置所述截断管，所述截止信号产生电路的控制信号输入端与位线相连，截止信号产生电路的截止信号输出端与所述截断管的截止信号输入端相连，所述截止信号产生电路在位线的输出信号大于阈值时，输出截止信号控制截断管关闭。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括判断电路，所述判断电路设置在位线与截止信号产生电路相连的电路上，用于判断位线的信号是否大于阈值。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括充电电路，所述充电电路设置在电源与两根位线，用于向位线充电。

4.根据权利要求1-3任一权利要求所述的存储器，其特征在于，所述截断管为PMOS管，所述PMOS管的栅极为截止信号输入端，所述PMOS管的源极与存储单元相连，所述PMOS管的漏极与灵敏放大器相连。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述截止信号产生电路包括与门、与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器、PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中时钟信号和第三反相器的输出信号作为与门的输入信号，控制信号作为第一反相器的输入信号，第一反相器的输出信号和与门的输出信号作为与非门的输入信号，时钟信号作为第二反相器的输入信号，第二反相器的输出信号作为第一NMOS管的栅极信号和第二NMOS管的栅极信号，与非门的输出信号作为PMOS管的栅极信号，PMOS管的源极接在电源上，PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连，第二NMOS管的源极接地，PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极连线上的信号作为第三反相器的输入信号和第三NMOS管的栅极信号，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连线上的信号作为第三NMOS管的源极信号，第三NMOS管的漏极接在电源上，第三反相器的输出信号作为截止信号输出。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线为大电容长位线。

7.一种权利要求1所述的数据存储器的读取控制方法，其特征在于，当发生存储单元数据读取操作时，截断管开启，存储单元对位线充电，所述存储单元内的数据经过灵敏放大器读出，当位线的输出信号大于阈值时，所述截止信号产生电路输出截止信号控制截断管关闭。

8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于，利用判断电路判断所述输出信号是否大于阈值，所述位线的输出信号包括位线的输出电压值或者位线的充电时间。