[发明专利]照明装置

说明书

本申请案基于且主张2012年3月13日提出申请的日本专利申请案第2012-056396号的优先权，该日本专利申请案的全部内容并入本申请案作为参考。

技术领域

实施方式涉及一种照明装置。

背景技术

使用有蓝色发光二极管(Light Emitting Diode：LED)所代表的半导体光源的照明装置正在普及。其中，由于白色光源容易实现小型化，且可简化电路构成，因此，可使用于广泛的用途，所述白色光源放出如下合成光、即蓝色LED的蓝色光、与被该蓝色光激发而从荧光体放射出的光的合成光。

然而，激发荧光体的蓝色光的波长处于短波长区域，在该短波长区域中，人的视感度下降。因此，在进行色温度(color temperature)高的照明的情况下，无助于视感度的蓝色光增加，从而使发光效率下降。另外，蓝色光的波长越短，则越有可能会使被照射物受到变色等影响。

发明内容

本发明的实施方式的照明装置包括：发光部，放射出蓝色光，该蓝色光的峰值(peak)波长为430纳米以上且不足460纳米；以及荧光体，被从所述发光部放出的放射光激发，放出颜色与蓝色不同的光，在包含所述发光部的所述放射光、与从所述荧光体放射出的光的放射频谱中，光波长为430纳米至490纳米的范围中的强度峰值，处于波长为470纳米至490纳米的范围。

本发明的实施方式的照明装置，包括：半导体光源，放射出蓝色光，所述蓝色光的峰值波长为430纳米以上且不足460纳米；第一荧光体，被所述半导体光源的放射光激发，在430纳米以上且不足490纳米的波长区域中，发出波长比所述半导体光源的所述放射光的波长更长的荧光；以及第二荧光体，被所述半导体光源的所述放射光激发，且放射出在490纳米以上具有峰值波长的光。

发明的效果

根据本发明的实施方式，实现如下的照明装置，该照明装置对短波长区域中的光的强度进行了控制。

附图说明

图1(a)、图1(b)是表示第一实施方式的照明装置的模式剖面图。

图2是表示第一实施方式的照明装置的放射频谱的图。

图3(a)、图3(b)是表示第一实施方式的变形例的发光部的模式剖面图。

图4是表示第一实施方式的变形例的照明装置的模式剖面图。

图5是表示第二实施方式的发光部的模式剖面图。

图6是表示第三实施方式的发光部的模式剖面图。

图7是表示第三实施方式的发光部的放射频谱的图。

附图标记：

3：绝缘层

5：正电极

7：负电极

10：基座

13、15：金属线

20：第一半导体光源

23、27、33、37：透明树脂

30：第二半导体光源

40：第三半导体光源

50：滤光器

100：照明装置

101：框体

103：外罩

105：电力转换部

107：灯头

109：绝缘壳体

110、120、130、140、150：发光部

A、B、C：峰值

D：发光频谱

E：放射频谱

λ1、λ3：蓝色光

λ2：长波长光

具体实施方式

以下，一面参照附图，一面对实施方式进行说明。再者，对附图中的相同部分附上相同序号，且适当地省略该相同部分的详细说明，对不同的部分进行说明。

第一实施方式

图1(a)是表示第一实施方式的照明装置100的模式剖面图。如图1(a)所示，照明装置100例如为灯泡形灯(lamp)，且包括：发光部110、框体101、以及将发光部110予以覆盖的外罩(cover)103。

在框体101的内部设置有电力转换部105，该电力转换部105将电力供给至发光部110，且该电力转换部105经由导线而电性连接于发光部110以及灯头107。另外，电力转换部105收容于绝缘壳体(case)109，该绝缘壳体109设置于框体101的内部。

电力转换部105从未图示的商用电源，经由灯头107接受交流电力的供给，例如将该交流电力转换成直流电力，而供给至发光部110。

如图1(b)所示，发光部110包括：安装在基座(base)10上的第一半导体光源20、与第二半导体光源30。