[发明专利]一种信息获取方法、设备及电容

说明书

技术领域

本发明涉及电子领域，特别涉及一种信息获取方法、设备及电容。

背景技术

现有技术中，在测量手与另一导体(例如铜片)之间的距离时，可以通过测量它们之间的电容值来实现。

但在测量它们之间的电容值时，测量结果往往不稳定。例如，手与铜片之间的距离为8cm，此时测得的电容值为30pf，在手与铜片之间的距离没发生变化时继续测量，第二次测得的电容值可能会变成50pf，如果再次进行测量可能还会得到不同的结果。这样就很难根据测得的电容值得到手与铜片之间的确切距离。

发明内容

本发明实施例提供一种信息获取方法、设备及电容，用于解决现有技术中无法准确获得距离的技术问题，实现了较为准确地获得距离的技术效果。

一种信息获取设备，包括：

检测装置，用于对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层；

获取装置，用于根据所述第一电容值获得所述第一电容层的距离。

较佳的，所述物质层为半导体层。

较佳的，所述半导体为水、油脂或硅。

较佳的，所述第一导体为铜片、银片、金片或铝片。

较佳的，所述检测装置与所述第一导体的外侧相连。

较佳的，所述获取装置具体用于：根据所述第一电容值及第一公式获得所述第一电容层的距离；所述第一公式为：εS/4πkd；其中，ε为介电常数，S为所述第一电容层的横截面面积，k为静电力常量，d为所述第一电容层的距离。

一种电容，所述电容中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层。

较佳的，所述物质层为半导体层。

较佳的，所述半导体为水、油脂或硅。

较佳的，所述第一导体为铜片、银片、金片或铝片。

一种信息获取方法，包括以下步骤：

对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层；

根据所述第一电容值获得所述第一电容层的距离。

较佳的，所述物质层为半导体层。

较佳的，所述半导体为水、油脂或硅。

较佳的，所述第一导体为铜片、银片、金片或铝片。

较佳的，根据所述电容值获得所述第一电容层的距离的步骤为：根据所述电容值及第一公式获得所述第一电容层的距离；所述第一公式为：εS/4πkd；其中，ε为介电常数，S为所述第一电容层的横截面面积，k为静电力常量，d为所述第一电容层的距离。

本发明实施例中的信息获取设备包括检测装置，用于对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层；获取装置，用于根据所述第一电容值获得所述第一电容层的距离。通过在第一导体内侧设置一层物质层，可以使获得的第一电容值更为准确，从而使根据所述第一电容值获得的所述第一电容层的距离更为准确，提高了测量准确度。

附图说明

图1为本发明实施例中信息获取设备的主要结构图；

图2为本发明实施例中信息获取方法的主要流程图；

图3为本发明实施例中电容的示意图。

具体实施方式

本发明实施例中的信息获取设备包括检测装置，用于对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层；获取装置，用于根据所述第一电容值获得所述第一电容层的距离。通过在第一导体内侧设置一层物质层，可以使获得的第一电容值更为准确，从而使根据所述第一电容值获得的所述第一电容层的距离更为准确，提高了测量准确度。

参见图1，为本发明实施例中的信息获取设备，所述设备可以包括检测装置101和获取装置102。

检测装置101可以用于对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层。

本发明实施例中所述第一电容层可以是一电容，其中所述第一电容层可以包括所述第一导体，所述第一导体为所述第一电容层中的固定结构。例如所述第一导体可以是铜片、银片、金片、铝片等导体。

检测装置101可以与所述第一导体的外侧相连。