[发明专利]一种信息获取方法、设备及电容有效
| 申请号： | 201210222504.9 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103513113B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 阳光;李琦 | 申请（专利权）人： | 联想（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100085 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 信息 获取 方法 设备 电容 | ||
1.一种信息获取设备，其特征在于，包括：
检测装置，用于对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层；
获取装置，用于根据所述第一电容值获得所述第一电容层的距离。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述物质层为半导体层。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述半导体为水、油脂或硅。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一导体为铜片、银片、金片或铝片。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述检测装置与所述第一导体的外侧相连。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述获取装置具体用于：根据所述第一电容值及第一公式获得所述第一电容层的距离；所述第一公式为：εS/4πkd；其中，ε为介电常数，S为所述第一电容层的横截面面积，k为静电力常量，d为所述第一电容层的距离。
7.一种电容，其特征在于，所述电容中包括的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层。
8.如权利要求7所述的电容，其特征在于，所述物质层为半导体层。
9.如权利要求8所述的电容，其特征在于，所述半导体为水、油脂或硅。
10.如权利要求7所述的电容，其特征在于，所述第一导体为铜片、银片、金片或铝片。
11.一种信息获取方法，其特征在于，包括以下步骤：
对第一电容层的电容值进行检测，获得第一电容值，其中，所述第一电容层中的第一导体的内侧设置有用于提高电容测量准确度的物质层；
根据所述第一电容值获得所述第一电容层的距离。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述物质层为半导体层。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述半导体为水、油脂或硅。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一导体为铜片、银片、金片或铝片。
15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，根据所述电容值获得所述第一电容层的距离的步骤为：根据所述电容值及第一公式获得所述第一电容层的距离；所述第一公式为：εS/4πkd；其中，ε为介电常数，S为所述第一电容层的横截面面积，k为静电力常量，d为所述第一电容层的距离。
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