[发明专利]一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法有效
| 申请号: | 201210222231.8 | 申请日: | 2012-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN102751445A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 朱少鹏;邱勇;陈红;黄秀颀 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;B32B3/30 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种封装薄膜,包括至少一个厚度为20-150nm的水氧阻隔层(2),其特征在于:还包括一个沉积在所述水氧阻隔层(2)上的厚度为100-1000nm的纳米结构层(1),所述纳米结构层(1)位于封装薄膜的外层,所述纳米结构层(1)的表面分布有若干个凸起,所述凸起在所述纳米结构层(1)的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凸起的高度为10-300nm,相邻所述凸起之间的间隙为1-100nm。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于:所述纳米结构层(1)为紫外光固化高分子材料层。
3.根据权利要求2所述的封装薄膜,其特征在于:所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装薄膜,其特征在于:所述凸起在所述纳米结构层(1)的表面至少有一个方向的长度为20-80nm,所述凸起的高度为50-150nm,相邻所述凸起之间的间隙为20-80nm。
5.根据权利要求4所述的封装薄膜,其特征在于:所述凸起在所述纳米结构层(1)的表面至少有一个方向的长度为50nm,所述凸起的高度为100nm,相邻所述凸起之间的间隙为50nm。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的封装薄膜,其特征在于:所述凸起组成的形状为雪花状、网状或棒状中的一种或多种。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的封装薄膜,其特征在于:还包括至少一个厚度为100-1000nm的平坦化层(3),所述平坦化层(3)位于所述水氧阻隔层(2)之间。
8.根据权利要求7所述的封装薄膜,其特征在于:所述平坦化层(3) 为紫外光固化高分子材料层。
9.根据权利要求8所述的封装薄膜,其特征在于:所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
10.一种封装薄膜的制造方法,其特征在于:依次包括以下步骤:
A.形成至少一个水氧阻隔层(2);
B.在位于最外层的一个水氧阻隔层(2)上沉积一层软质层;
C.将所述软质层的一面与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层进行硬化处理,形成所述纳米结构层(1),所述纳米结构层为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个凹槽,所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凹槽的深度为10-300nm,相邻所述凹槽之间的间隙为1-100nm。
11.根据权利要求10所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:所述软质层由紫外光固化高分子材料的单体制成。
12.根据权利要求10或11所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:在所述步骤C中采用的所述模板的所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为20-80nm,所述凹槽的深度为50-150nm,相邻所述凹槽之间的间隙为20-80nm。
13.根据权利要求10-12中任一项所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:在所述步骤C中采用的所述模板的所述凹槽的截面形状为雪花状、网状或棒状中的一种或多种。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:在所述步骤B中采用紫外光固化高分子材料形成所述软质层。
15.根据权利要求11-14中任一项所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:采用的所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或多种。
16.根据权利要求10-15中任一项所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:在所述水氧阻隔层(2)之间形成平坦化层(3)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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