[发明专利]用于把金属表面附着到载体的方法以及包装模块有效
申请号: | 201210220306.9 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102856219A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | K.霍赛尼;J.马勒;M.门格尔;H.托伊斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李浩 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 金属表面 附着 载体 方法 以及 包装 模块 | ||
技术领域
各个实施例通常涉及一种用于把金属表面附着到载体的方法、一种用于把芯片附着到芯片载体的方法、芯片包装模块以及一种包装模块。
背景技术
一个或更多结构之间的粘附连接和接合被使用在许多制造领域中,其中包括半导体制造。在半导体制造中,粘附连接可以被用来把半导体芯片连接到芯片载体,或者把芯片接触衬垫连接到印刷电路板或引线框。粘附连接而且被使用在倒装芯片晶片级包装中用于把芯片的一个侧面(例如芯片背面)粘附到晶片、印刷电路板或引线框。
许多因素影响两个表面之间的粘附连接的可靠性。半导体制造中的粘附连接的质量可能受到膜的质量的影响,例如金属薄膜,其可能被形成在芯片表面之上或者可能形成芯片电路的一部分。粘附连接的质量可能受到被用来将芯片连接到芯片载体的粘性糊膏、胶黏剂或焊料的质量的影响。
关于将金属膜沉积在半导体晶片之上的质量问题影响半导体制造中的用于生产金属轨道、金属保护层、边界层、中间层、结合层、焊料层和电接触件的标准、全工业范围工艺。各层的属性取决于工艺参数和工艺限制。可以被用来确定所生产的各层的质量并且在半导体工业中生产各层时所考虑的一些因素可以包括各层的厚度。由于更厚的层导致更高的成本,因此可能把各层制造得过薄而无法产生良好质量层。各层(特别是非常薄的层)可能受到高内部机械应力。各层中的高机械应力还可能由邻近层的机械属性导致,例如对各层施加不适当的应力量的邻近硅、氧化物或氮化物层。各层可能是易碎的,并且一些层可能导致晶片由于双金属效应而弯曲。用于避免与金属膜沉积相关联的一些问题的当前技术包括对各层的设计做出改变,例如通过引入蜿蜒结构、改变关键层厚度或者导电轨道宽度。一种常用的技术是引入附加的层以补偿原始层中的失配。
直到现在为止,芯片与芯片载体之间的粘附连接中的粘性材料是粘性糊膏或粘性箔片。取决于需要导电还是隔离粘附连接,可以使用具有不同导电或隔离属性的粘性材料来把组件(例如半导体芯片)连接或胶黏到载体。
然而现今所使用的粘性箔片和糊膏针对应力(例如机械应力和热应力)不够可靠。另一个问题随着湿气出现。还可能由于蔓延或扩散到芯片表面上的粘性糊膏而存在处理问题,导致电子器件的问题。许多粘性箔片和糊膏不满足针对足够导电或导热的必要要求。
发明内容
一个实施例是一种用于把金属表面附着到载体的方法,所述方法包括:将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上;以及通过将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将金属表面和载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层,从而使得所述材料形成金属表面与载体之间的互连。
附图说明
在附图中,相同的附图标记通常在不同的视图当中始终指代相同的部件。附图不一定是按比例绘制的,相反重点通常在于说明本发明的原理。在下面的描述中将参照附图来描述本发明的各个实施例,其中:
图1示出了根据一个实施例的用于将金属表面附着到载体的方法;
图2A到2F示出了根据一个实施例的用于将金属表面附着到载体的方法;
图3示出了根据一个实施例的用于将芯片附着到芯片载体的方法;
图4A到4J示出了根据各个实施例的用于将芯片附着到芯片载体的方法;
图5A到5F示出了根据一个实施例的用于将芯片附着到另一个结构的方法;
图6示出了根据一个实施例的包装模块的图示;
图7示出了根据一个实施例的芯片包装模块的图示。
具体实施方式
下面的详细描述参照附图,所述附图通过说明的方式示出了可以在其中实践本发明的具体细节和实施例。
“示例性”一词在这里被用来意指“作为实例、事例或说明”。在这里被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定要被理解为比其他实施例或设计优选或有利。
关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的“之上”一词在这里可以被用来意指所述沉积材料可以被形成在隐含侧面或表面的“直接上方”,例如与其直接接触。关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的“之上”一词在这里可以被用来意指所述沉积材料可以被形成在隐含侧面或表面的“间接上方”,其中在隐含侧面或表面与沉积材料之间设置有一个或更多附加层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造