[发明专利]用于把金属表面附着到载体的方法以及包装模块

权利要求书

1.一种用于把金属表面附着到载体的方法，所述方法包括：

将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上；以及

通过将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将金属表面和载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层，从而使得所述材料形成金属表面与载体之间的互连。

2.根据权利要求1的方法，其中将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上包括：沉积厚度处在从大约1μm到150μm的范围内的多孔层。

3.根据权利要求1的方法，其中将多孔层沉积在金属表面和载体侧面的至少一项之上包括：将粒子沉积在金属表面和载体侧面的所述至少一项之上，从而形成所述多孔层的各个孔。

4.根据权利要求3的方法，其中形成所述多孔层的各个孔包括：形成大于大约50nm的各个孔。

5.根据权利要求3的方法，其中将粒子沉积在金属表面和载体侧面的所述至少一项之上包括：沉积直径处于从大约200nm到40μm的范围内的粒子。

6.根据权利要求3的方法，其中将粒子沉积在金属表面和载体侧面的所述至少一项之上包括：沉积包括隔离材料的粒子。

7.根据权利要求3的方法，其中将粒子沉积在金属表面和载体侧面的所述至少一项之上包括：沉积包括导热材料的粒子。

8.根据权利要求3的方法，其中将粒子沉积在金属表面和载体侧面的所述至少一项之上包括：沉积包括金属和陶瓷的至少一项的粒子。

9.一种用于将芯片附着到芯片载体的方法，所述方法包括：

将多孔层沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的至少一项之上；以及

通过把一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层，从而使得所述材料形成芯片与芯片载体之间的互连。

10.根据权利要求1的方法，其中将多孔层沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的至少一项之上包括：将粒子沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项之上，因此形成所述多孔层的各个孔。

11.根据权利要求10的方法，其中将粒子沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项之上包括：通过冷喷涂工艺或者通过冷等离子体工艺来沉积粒子。

12.根据权利要求10的方法，其中将粒子沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项之上包括：沉积直径处于从大约200nm到40μm的范围内的粒子。

13.根据权利要求10的方法，其中将粒子沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项之上包括：沉积包括金属和陶瓷的至少一项的粒子。

14.根据权利要求10的方法，所述方法还包括：

在把粒子沉积在芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项之上以后对所述粒子进行加热，从而导致以下情况的至少一项：粒子彼此烧结，以及粒子粘附到芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项。

15.根据权利要求9的方法，其中通过将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层包括：通过将包括热固材料的一种材料引入到所述多孔层的各个孔中而将芯片侧面和芯片载体侧面的所述至少一项附着到所述多孔层。

16.根据权利要求10的方法，其中将一种材料引入到所述多孔层的各个孔中包括：增强所述多孔层与所述芯片和芯片载体的可湿性。

17.根据权利要求10的方法，所述方法还包括：

对所述互连进行热硬化，以便将所述互连固定在所述多孔层内并且把所述芯片固定到芯片载体。

18.根据权利要求10的方法，其中形成所述芯片与芯片载体之间的互连包括：形成所述芯片与包括印刷电路板的芯片载体之间的互连。

19.根据权利要求10的方法，其中形成所述芯片与芯片载体之间的互连包括：形成所述芯片与包括另一个芯片的芯片载体之间的互连。

20.根据权利要求10的方法，其中形成所述芯片与芯片载体之间的互连包括：形成所述芯片与包括引线框的芯片载体之间的互连。