[发明专利]一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210220038.0 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102709468A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;王集敏;万蔡华;朴红光 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基 几何 磁电 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片表面的4个角上分别设置1个金属电极；4个金属电极呈矩形或梯形，其中，在长度方向上的两个金属电极之间的间距用LC表示，在宽度方向上的两个金属电极之间的间距用WC 表示，两间距的比值大于0.5，即LC/WC >0.5。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的任一边长度为0.5 mm~20 mm。
3.根据权利要求1所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的电阻率大于1000 Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的迁移率大于1000 cm2/Vs。
5.根据权利要求1所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述金属电极为金属In、Al或Ti。
6.如权利要求1所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：
（1）将矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片用酒精或丙酮漂洗干净，并将其裁剪成矩形；
（2）在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的表面4个角上分别沉积或压制1个金属电极。
7.根据权利要求1所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的任一边长度为0.5 mm~20 mm。
8.根据权利要求5所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的电阻率大于1000 Ω·cm。
9.根据权利要求5所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片的迁移率大于1000 cm2/Vs。
10.根据权利要求5所述的一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：所述金属电极为金属In、Al或Ti。
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