[发明专利]微电流保护元件结构无效
申请号: | 201210215678.2 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN103515165A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 邱鸿智 | 申请(专利权)人: | 功得电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/04 | 分类号: | H01H85/04;H01H85/05 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 潘光兴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 保护 元件 结构 | ||
1.一种微电流保护元件结构,其特征在于,包括:
一个绝缘基材,用以形成微电流保护元件结构的主体;
至少一个熔丝部,其由导电材料所制成,设于该基材的一个面上;
两个端电极,其设于该基材的端缘,分别与该熔丝部电连接,用以形成导电电极;
至少一个保护体,其覆盖于该熔丝部上。
2.如权利要求1所述的微电流保护元件结构,其特征在于,所述熔丝部为两个,分别设于该基材的上下两个表面上,且在各该熔丝部外部设有一个该保护体。
3.如权利要求1或2所述的微电流保护元件结构,其特征在于,该导电材料为纯金属、金属合金、混合金属或高分子导电材料。
4.如权利要求1或2所述的微电流保护元件结构,其特征在于,该绝缘基材的材料为低温共烧陶瓷、氧化铝、氮化铝、玻璃纤维或高分子绝缘材料。
5.如权利要求1或2所述的微电流保护元件结构,其特征在于,该熔丝部借助蚀刻、激光、点胶或印刷方式修整成预定形状。
6.一种微电流保护元件结构,其特征在于,包括:
一个绝缘基材,其包括上层部及下层部,用以形成微电流保护元件结构的主体;
一个熔丝部,其由导电材料所制成,设于该上层部与下层部之间;
两个端电极,其设于该基材的端缘,分别与该熔丝部电连接,用以形成导电电极。
7.如权利要求6所述的微电流保护元件结构,其特征在于,更进一步于该熔丝部的表面与该基材之间设有至少一个空穴,用以形成该熔丝部的熔断空间。
8.如权利要求6所述的微电流保护元件结构,其特征在于,该导电材料为纯金属、金属合金、混合金属或高分子导电材料。
9.如权利要求6所述的微电流保护元件结构,其特征在于,该绝缘基材的材料为低温共烧陶瓷、氧化铝、氮化铝、玻璃纤维或高分子绝缘材料。
10.如权利要求6所述的微电流保护元件结构,其特征在于,该熔丝部借助蚀刻、激光、点胶或印刷方式修整成预定形状。
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