[发明专利]沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体本体，所述半导体本体包括第一表面和第二表面；

沟槽结构，所述沟槽结构从所述第一表面延伸到所述半导体本体内，所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在所述沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分，其中所述第一部分中的所述沟槽结构的宽度等于所述第二部分中的所述沟槽结构的宽度；

本体区，所述本体区在所述沟槽结构的侧壁处毗连所述第一栅极介电部分和第二栅极介电部分；并且

其中，所述第一栅极介电部分的底部边缘与所述第一表面之间的距离d₁和所述第二栅极介电部分的底部边缘与所述第一表面之间的距离d₂满足50 nm < d₁ - d₂。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括毗连所述第一栅极介电部分和第二栅极介电部分的源极区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括布置在所述第一栅极电极部分的所述底部边缘下面的至少一个场电极。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，包括布置在所述沟槽结构的所述第一部分中的所述第一栅极电极部分下面的第一场电极部分和布置在所述沟槽结构的所述第二部分中的所述第二栅极电极部分下面的第二场电极部分，其中，所述第一场电极部分的顶部边缘与所述第一表面之间的距离小于所述第二场电极部分的顶部边缘与所述第一表面之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极电极部分和所述第二栅极电极部分是沟槽中的一个连续的栅极电极的部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，包括多个第一栅极电极部分和多个第二栅极电极部分，其中，所述多个第一栅极电极部分和所述多个第二栅极电极部分被交替地布置在所述沟槽内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，包括多个沟槽，每个沟槽都包括交替地布置的所述多个第一栅极电极部分和所述多个第二栅极电极部分，其中，所述沟槽中的相邻沟槽之间的横向距离l₁和所述沟槽中的一个沟槽中的所述第一栅极电极部分之间的节距p相对于到所述第一表面200 nm的参考水平面深度满足关系p < 2 x l₁。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括

第一场电极部分，在所述沟槽结构的所述第一部分中布置在所述第一栅极电极部分下面；

第二场电极部分，在所述沟槽结构的所述第二部分中布置在所述第二栅极电极部分下面；并且

其中，所述第一场电极部分的顶部边缘与所述第一表面之间的距离等于所述第二场电极部分的顶部边缘与所述第一表面之间的距离。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽结构的所述第一部分包括第一沟槽，并且所述沟槽结构的所述第二部分包括第二沟槽。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽被成形为带并且彼此平行地延伸。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述本体区由在一侧由所述第一沟槽在另一侧由所述第二沟槽横向地限制。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极电极部分被电连接至所述第二栅极电极部分。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是场效应结构。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述场效应结构是场效应晶体管。