[发明专利]垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜

说明书

本申请是申请日为2009年4月30日、申请号为200980114784.8的发明名称为《垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜》的申请的分案申请。

[对相关申请的交叉引用]

本申请要求于2008年4月30日提交的日本专利申请2008-118113和于2008年7月23日提交的日本专利申请2008-189853的优先权，所述两项申请的全部公开内容都通过引用结合在此。

[技术领域]

本发明涉及含有Ni-W作为主要组分的垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料以及通过使用这种材料制备的薄膜。更具体地，本发明涉及用于中间层膜的Ni-W-P，Zr-基或Ni-W-(Si，B)-基溅射靶材料，以及通过使用这种材料制备的薄膜。

[背景技术]

近年来，伴随着磁记录技术的显著进步，磁记录介质的记录密度归因于驱动器容量的增加而变得更高。然而，对于当前广泛使用的具有纵向磁记录系统的磁记录介质，对实现高记录密度的尝试使得记录位最小化，这需要达到可以用所述记录位进行记录的程度的高的矫磁力。因此，作为用于解决这些问题和提高记录密度的手段，正在研究垂直磁记录系统。

在垂直磁记录系统中，形成容易磁化的轴，使其垂直于在垂直磁记录介质的磁膜中的介质表面取向，并且此系统适用于高记录密度。在垂直磁记录系统中，已经开发了多层记录介质，其拥有具有提高的记录灵敏度的磁记录膜层，软磁膜层和中间层。CoCrPt-SiO₂-基合金通常用于此磁记录膜层，而Co-Zr-Nb-基合金等用于软磁膜层。本文中所述的中间层通常是指为了下列目的而提供的层：减小磁记录膜层的晶粒的尺寸，和对晶体取向赋予各向异性。

作为中间层，已经提出了多种Ni-基合金，Ta-基合金，Pd-基合金，Ru-基合金等，并且最近已经使用了Ni-W-基合金。这些中间层的作用之一是控制磁记录膜层的结构。为此目的，据认为重要的是减小中间层的晶粒尺寸。例如，已经提出了Ru中间层，如在“垂直磁记录膜的结构控制(Structure Control of Perpendicular Magnetic Recording Film)”(Fuji Jiho，第77卷，第2期，2004，第121页)中所公开的。

另外，据认为，在Ni-W-基合金中，如果薄膜的晶格常数在约3.53至3.61(×10^-10m)的范围内，则记录密度良好，尽管详细原因未知。

尽管如果通过使用Ni-W-基薄膜作为中间层制备垂直磁记录介质，则可以得到良好的记录性质，但是需要减小Ni-W-基中间层的晶粒尺寸以实现高得多的记录密度。然后，关于可以有助于减小Ni-W-基薄膜的晶粒尺寸的要加入的元素等，根本不存在公知常识。

[发明概述]

本发明人现在发现，通过下列方法可以显著减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸：通过将预定量的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素加入到Ni-W二元组分中而构造(structure)溅射靶材料。

因此，本发明的一个目的是提供一种垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料，其中所述溅射靶材料能够显著地减小通过溅射形成的薄膜的晶粒尺寸。

根据本发明，提供一种溅射靶材料以及由该材料制备的薄膜，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P、Zr、Si和B组成的组一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。

根据本发明的第一实施方案，提供一种溅射靶材料以及通过使用该材料制备的Ni-W-P，Zr-基薄膜，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的P和/或Zr；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。

根据本发明的第二实施方案，提供一种溅射靶材料以及通过使用该材料制备的Ni-W-(Si，B)-基薄膜，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1至20％的W；总计0.1至10％的Si和B；和余量的Ni，并且优选由这些组分组成。

[实施方案的描述]

根据第一实施方案的溅射靶材料