[发明专利]垂直磁记录介质的中间层膜制备用的溅射靶材料和通过使用其制备的薄膜有效
| 申请号： | 201210213690.X | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102766848A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 泽田俊之;岸田敦;柳谷彰彦 | 申请（专利权）人： | 山阳特殊制钢株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F9/08;C22C19/03;C23C14/14;G11B5/738;G11B5/851;B22F3/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 中间层 制备 溅射 材料 通过 使用 薄膜 | ||
1.一种溅射靶材料，所述溅射靶材料用于制备垂直磁记录介质的中间层膜，所述溅射靶材料以原子％计包含1％至20％的W；总计0.1％至10％的一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni。
2.根据权利要求1所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计由下列各项组成：1％至20％的W；总计0.1％至10％的一种或多种选自由P、Zr、Si和B组成的组中的元素；和余量的Ni。
3.根据权利要求1所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计包含1％至20％的W；总计0.1％至10％的P和/或Zr；和余量的Ni。
4.根据权利要求3所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计由1％至20％的W；总计0.1％至10％的P和/或Zr；和余量的Ni组成。
5.根据权利要求3所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过将由气体雾化制备的原料粉末固结得到。
6.一种Ni-W-P，Zr-基薄膜，所述Ni-W-P，Zr-基薄膜通过使用根据权利要求3所述的溅射靶材料制备。
7.根据权利要求1所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计包含1％至20％的W；总计0.1％至10％的Si和B；和余量的Ni。
8.根据权利要求7所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料以原子％计由1％至20％的W；总计0.1％至10％的Si和B；和余量的Ni组成。
9.根据权利要求7所述的溅射靶材料，其中Si与B的比率为2∶8至6∶4。
10.根据权利要求9所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过将由气体雾化制备的原料粉末固结得到。
11.根据权利要求7所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过在800℃以上和1250℃以下的温度固结得到。
12.一种Ni-W-(Si，B)-基薄膜，所述Ni-W-(Si，B)-基薄膜通过使用根据权利要求7所述的溅射靶材料制备。
13.根据权利要求7所述的溅射靶材料，所述溅射靶材料通过将由气体雾化制备的原料粉末固结得到。
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