[发明专利]形成FinFET的方法

权利要求书

1.一种形成FinFET方法，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底上预定有有源区，且所述预定义的有源区中预定义有半导体鳍状物的位置；

在所述半导体基底上依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层窗口对应于所述预定义的半导体鳍状物位置；

以所述图案化的光阻胶层为屏蔽，依次刻蚀硬掩膜层以及衬垫氧化层，以形成凹陷，所述凹陷底部暴露所述半导体基底表面；

通过外延，在所述凹陷底部暴露的半导体基底表面处形成半导体层，所述半导体层填充所述凹陷；

依次刻蚀去除所述硬掩膜层和衬垫氧化层，以暴露的所述半导体层为半导体鳍状物；

在所述半导体鳍状物表面热氧化形成栅介质层；

在半导体基底上沉积多晶硅层，形成垂直于半导体鳍状物延伸方向的栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体基底上依次形成有衬垫氧化层和硬掩膜层之后，形成所述窗口对应于所述预定义的半导体鳍状物位置的图案化光阻胶之前，还包括刻蚀形成浅沟槽隔离的步骤，该步骤包括：

依次刻蚀所述衬垫氧化层和硬掩膜层，以在所述预定的有源区两侧的半导体基底中形成浅沟槽；

在所述半导体基底上沉积介电材料，并进行化学机械研磨，以使所述介电材料表面与所述硬掩膜表面齐平；

在刻蚀所述衬垫氧化层时，还包括刻蚀去除位于所述半导体基底表面之上部分的所述介电材料的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹陷的深度为5nm至60nm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述图案化的光阻胶层窗口的宽度为5nm至30nm。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述硬掩膜，所述干法刻蚀的参数包括，以二氟甲烷、六氟化硫、氮气以及氦气为刻蚀气体，电源功率为550至650瓦，偏压为55至65瓦，压力为2至10mTorr。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体基底的材料为单晶硅，所述半导体层的材料为单晶硅或掺杂的单晶硅，所述外延形成半导体层的温度为600至800摄氏度。